TY - JOUR

T1 - Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия

AU - Константинов, В.О.

AU - Самохвалов, Фаддей Алексеевич

AU - Морозова, Марина Анатольевна

AU - Баранов, Евгений Александрович

N1 - Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия / В. О. Константинов, Ф. А. Самохвалов, М. А. Морозова, Е. А. Баранов // Успехи прикладной физики. – 2025. – Т. 13, № 2. – С. 141-148. – DOI 10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148. – EDN EJBSPW. Исследование выполнено при поддержке Российского научного фонда (грант № 22-79-10079, https://rscf.ru/project/22-79-10079/) (диагностика и отжиг тонких пленок) и в рамках государственного задания ИТ СО РАН № 121031800218-5 (синтез тонких пленок). Синтез тонких пленок осуществлен с использованием уникальной научной установки «Вакуумный газодинамический комплекс» ИТ СО РАН.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Исследовано влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на процесс золото-индуцированной кристаллизации пленок германия. Эксперименты проводились на подложках из кварцевого стекла и монокристаллического кремния с использованием метода магнетронного распыления для осаждения слоев аморфного германия и золота. Образцы подвергались высоковакуумному отжигу при температурах от 260 до 300 °C в течение 20-60 часов. Методами сканирующей электронной микроскопии (SEM), спектроскопии комбинационного рассеяния света (Raman) и рентгенофазового анализа (XRD) изучены морфология, кристаллическая структура и фазовый состав пленок. Результаты показали, что толщина затравочного слоя a аморфного германия существенно влияет на кинетику кристаллизации и размер кристаллитов германия. Образцы с более тонким затравочным слоем (4 нм) демонстрируют более высокую плотность зародышеобразования, в то время как увеличение толщины затравочного слоя (до 10 нм) способствует увеличению размера кристаллитов. Полученные данные подтверждают, что золото-индуцирован- ная кристаллизация позволяет контролировать структуру и свойства поликристаллического германия, что делает его перспективным материалом для применения в микроэлектронике и оптоэлектронике.

AB - Исследовано влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на процесс золото-индуцированной кристаллизации пленок германия. Эксперименты проводились на подложках из кварцевого стекла и монокристаллического кремния с использованием метода магнетронного распыления для осаждения слоев аморфного германия и золота. Образцы подвергались высоковакуумному отжигу при температурах от 260 до 300 °C в течение 20-60 часов. Методами сканирующей электронной микроскопии (SEM), спектроскопии комбинационного рассеяния света (Raman) и рентгенофазового анализа (XRD) изучены морфология, кристаллическая структура и фазовый состав пленок. Результаты показали, что толщина затравочного слоя a аморфного германия существенно влияет на кинетику кристаллизации и размер кристаллитов германия. Образцы с более тонким затравочным слоем (4 нм) демонстрируют более высокую плотность зародышеобразования, в то время как увеличение толщины затравочного слоя (до 10 нм) способствует увеличению размера кристаллитов. Полученные данные подтверждают, что золото-индуцирован- ная кристаллизация позволяет контролировать структуру и свойства поликристаллического германия, что делает его перспективным материалом для применения в микроэлектронике и оптоэлектронике.

KW - ЗОЛОТО-ИНДУЦИРОВАННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ

KW - АМОРФНЫЙ ГЕРМАНИЙ

KW - ЗАТРАВОЧНЫЙ СЛОЙ

KW - ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕРМАНИЙ

KW - КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=80667104

U2 - 10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148

DO - 10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148

M3 - статья

VL - 13

SP - 141

EP - 148

JO - Успехи прикладной физики

JF - Успехи прикладной физики

SN - 2307-4469

IS - 2

ER -