Standard

Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия. / Константинов, В.О.; Самохвалов, Фаддей Алексеевич; Морозова, Марина Анатольевна et al.

In: Успехи прикладной физики, Vol. 13, No. 2, 2025, p. 141-148.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Константинов, ВО, Самохвалов, ФА, Морозова, МА & Баранов, ЕА 2025, 'Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия', Успехи прикладной физики, vol. 13, no. 2, pp. 141-148. https://doi.org/10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148

APA

Константинов, В. О., Самохвалов, Ф. А., Морозова, М. А., & Баранов, Е. А. (2025). Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия. Успехи прикладной физики, 13(2), 141-148. https://doi.org/10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148

Vancouver

Константинов ВО, Самохвалов ФА, Морозова МА, Баранов ЕА. Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия. Успехи прикладной физики. 2025;13(2):141-148. doi: 10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148

Author

Константинов, В.О. ; Самохвалов, Фаддей Алексеевич ; Морозова, Марина Анатольевна et al. / Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия. In: Успехи прикладной физики. 2025 ; Vol. 13, No. 2. pp. 141-148.

BibTeX

@article{c5f6863a4d994b4fa22e290db4bc1deb,
title = "Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия",
abstract = "Исследовано влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на процесс золото-индуцированной кристаллизации пленок германия. Эксперименты проводились на подложках из кварцевого стекла и монокристаллического кремния с использованием метода магнетронного распыления для осаждения слоев аморфного германия и золота. Образцы подвергались высоковакуумному отжигу при температурах от 260 до 300 °C в течение 20-60 часов. Методами сканирующей электронной микроскопии (SEM), спектроскопии комбинационного рассеяния света (Raman) и рентгенофазового анализа (XRD) изучены морфология, кристаллическая структура и фазовый состав пленок. Результаты показали, что толщина затравочного слоя a аморфного германия существенно влияет на кинетику кристаллизации и размер кристаллитов германия. Образцы с более тонким затравочным слоем (4 нм) демонстрируют более высокую плотность зародышеобразования, в то время как увеличение толщины затравочного слоя (до 10 нм) способствует увеличению размера кристаллитов. Полученные данные подтверждают, что золото-индуцирован- ная кристаллизация позволяет контролировать структуру и свойства поликристаллического германия, что делает его перспективным материалом для применения в микроэлектронике и оптоэлектронике.",
keywords = "ЗОЛОТО-ИНДУЦИРОВАННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, АМОРФНЫЙ ГЕРМАНИЙ, ЗАТРАВОЧНЫЙ СЛОЙ, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕРМАНИЙ, КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА",
author = "В.О. Константинов and Самохвалов, {Фаддей Алексеевич} and Морозова, {Марина Анатольевна} and Баранов, {Евгений Александрович}",
note = "Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия / В. О. Константинов, Ф. А. Самохвалов, М. А. Морозова, Е. А. Баранов // Успехи прикладной физики. – 2025. – Т. 13, № 2. – С. 141-148. – DOI 10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148. – EDN EJBSPW. Исследование выполнено при поддержке Российского научного фонда (грант № 22-79-10079, https://rscf.ru/project/22-79-10079/) (диагностика и отжиг тонких пленок) и в рамках государственного задания ИТ СО РАН № 121031800218-5 (синтез тонких пленок). Синтез тонких пленок осуществлен с использованием уникальной научной установки «Вакуумный газодинамический комплекс» ИТ СО РАН.",
year = "2025",
doi = "10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148",
language = "русский",
volume = "13",
pages = "141--148",
journal = "Успехи прикладной физики",
issn = "2307-4469",
publisher = "ГНЦ АО «НПО «Орион»",
number = "2",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия

AU - Константинов, В.О.

AU - Самохвалов, Фаддей Алексеевич

AU - Морозова, Марина Анатольевна

AU - Баранов, Евгений Александрович

N1 - Влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на золото-индуцированную кристаллизацию тонких пленок германия / В. О. Константинов, Ф. А. Самохвалов, М. А. Морозова, Е. А. Баранов // Успехи прикладной физики. – 2025. – Т. 13, № 2. – С. 141-148. – DOI 10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148. – EDN EJBSPW. Исследование выполнено при поддержке Российского научного фонда (грант № 22-79-10079, https://rscf.ru/project/22-79-10079/) (диагностика и отжиг тонких пленок) и в рамках государственного задания ИТ СО РАН № 121031800218-5 (синтез тонких пленок). Синтез тонких пленок осуществлен с использованием уникальной научной установки «Вакуумный газодинамический комплекс» ИТ СО РАН.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Исследовано влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на процесс золото-индуцированной кристаллизации пленок германия. Эксперименты проводились на подложках из кварцевого стекла и монокристаллического кремния с использованием метода магнетронного распыления для осаждения слоев аморфного германия и золота. Образцы подвергались высоковакуумному отжигу при температурах от 260 до 300 °C в течение 20-60 часов. Методами сканирующей электронной микроскопии (SEM), спектроскопии комбинационного рассеяния света (Raman) и рентгенофазового анализа (XRD) изучены морфология, кристаллическая структура и фазовый состав пленок. Результаты показали, что толщина затравочного слоя a аморфного германия существенно влияет на кинетику кристаллизации и размер кристаллитов германия. Образцы с более тонким затравочным слоем (4 нм) демонстрируют более высокую плотность зародышеобразования, в то время как увеличение толщины затравочного слоя (до 10 нм) способствует увеличению размера кристаллитов. Полученные данные подтверждают, что золото-индуцирован- ная кристаллизация позволяет контролировать структуру и свойства поликристаллического германия, что делает его перспективным материалом для применения в микроэлектронике и оптоэлектронике.

AB - Исследовано влияние толщины затравочного слоя аморфного германия на процесс золото-индуцированной кристаллизации пленок германия. Эксперименты проводились на подложках из кварцевого стекла и монокристаллического кремния с использованием метода магнетронного распыления для осаждения слоев аморфного германия и золота. Образцы подвергались высоковакуумному отжигу при температурах от 260 до 300 °C в течение 20-60 часов. Методами сканирующей электронной микроскопии (SEM), спектроскопии комбинационного рассеяния света (Raman) и рентгенофазового анализа (XRD) изучены морфология, кристаллическая структура и фазовый состав пленок. Результаты показали, что толщина затравочного слоя a аморфного германия существенно влияет на кинетику кристаллизации и размер кристаллитов германия. Образцы с более тонким затравочным слоем (4 нм) демонстрируют более высокую плотность зародышеобразования, в то время как увеличение толщины затравочного слоя (до 10 нм) способствует увеличению размера кристаллитов. Полученные данные подтверждают, что золото-индуцирован- ная кристаллизация позволяет контролировать структуру и свойства поликристаллического германия, что делает его перспективным материалом для применения в микроэлектронике и оптоэлектронике.

KW - ЗОЛОТО-ИНДУЦИРОВАННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ

KW - АМОРФНЫЙ ГЕРМАНИЙ

KW - ЗАТРАВОЧНЫЙ СЛОЙ

KW - ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕРМАНИЙ

KW - КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=80667104

U2 - 10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148

DO - 10.51368/2307-4469-2025-13-2-141-148

M3 - статья

VL - 13

SP - 141

EP - 148

JO - Успехи прикладной физики

JF - Успехи прикладной физики

SN - 2307-4469

IS - 2

ER -

ID: 74366922