TY - PAT

T1 - Способ создания фоточувствительной поверхностно-барьерной структуры

AU - Володин, Владимир Алексеевич

AU - Камаев, Геннадий Николаевич

AU - Хамуд Гайсаа Аббас,

PY - 2024/11/5

Y1 - 2024/11/5

N2 - Способ создания фоточувствительной поверхностно-барьерной структуры, характеризующийся тем, что на кремниевую подложку с туннельно-тонким диэлектриком наносят полупрозрачный проводящий электрод. Между туннельно-тонким диэлектриком и прозрачным для излучения проводящим электродом методом физического испарения в вакуумной камере с предварительной откачкой до давления 10-6 Па одновременно диоксида кремния и диоксида германия осаждают германосиликатное стекло ([GeO]x[SiO2]1-x), с x от 0,25 до 0,75 толщиной от 25 до 100 нм, при температуре подложки 20 до 200°С. Далее наносят прозрачный для излучения проводящий электрод. Технический результат изобретения заключается в получении фототока в широком спектральном диапазоне.

AB - Способ создания фоточувствительной поверхностно-барьерной структуры, характеризующийся тем, что на кремниевую подложку с туннельно-тонким диэлектриком наносят полупрозрачный проводящий электрод. Между туннельно-тонким диэлектриком и прозрачным для излучения проводящим электродом методом физического испарения в вакуумной камере с предварительной откачкой до давления 10-6 Па одновременно диоксида кремния и диоксида германия осаждают германосиликатное стекло ([GeO]x[SiO2]1-x), с x от 0,25 до 0,75 толщиной от 25 до 100 нм, при температуре подложки 20 до 200°С. Далее наносят прозрачный для излучения проводящий электрод. Технический результат изобретения заключается в получении фототока в широком спектральном диапазоне.

M3 - патент на изобретение

M1 - 2829701

Y2 - 2024/07/18

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -