1. 2019
  2. Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2019, в: Semiconductors. 53, 2, стр. 195-199 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. 2018
  4. Energy spectrum of charge carriers in elastically strained assemblies of Ge/Si quantum dots

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Zinovieva, A. F., Zinoviev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., мар. 2018, в: Journal of Surface Investigation. 12, 2, стр. 306-316 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

    Dvurechenskii, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Zinovyev, V., Zinovieva, A. & Mudryi, A., 1 янв. 2018, Physics and Technology of Nanostructured Materials. Trans Tech Publications Ltd, Том 386 DDF. стр. 68-74 7 стр. (Defect and Diffusion Forum; том 386 DDF).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  6. 2017
  7. Plasmon polariton enhanced mid-infrared photodetectors based on Ge quantum dots in Si

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 7 окт. 2017, в: Journal of Applied Physics. 122, 13, 7 стр., 133101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Timofeev, V. A., Tuktamyshev, A. R., Nikiforov, A. I. & Murashov, V. V., 1 мар. 2017, в: Semiconductors. 51, 3, стр. 329-334 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3443119