1. Formation of Periodic Structures (2D-PhCs) by Scanning Electron Lithography

    Utkin, D., Shklyev, A., Tsarev, A., Latyshev, A. & Nasimov, D., 1 янв. 2017, в: Physics Procedia. 86, стр. 127-130 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  2. Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions

    Alperovich, V. L., Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Rudaya, N. S., Rodyakina, E. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Karpov, A. N., Shwartz, N. L., Terekhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 255-277 23 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  3. Formation of DNA molecules ordered systems on silicon surfaces

    Matkhonova, E. Y., Utkin, D. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Nasimov, D. A. & Latyshev, A. V., 2012, 2012 13th Annual International Conference and Seminar of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM'2012 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 13-15 3 стр. 6310204. (International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  4. Formation of 2D-PhCs with missing holes based on Si-layers by EBL

    Utkin, D. E., Shklyev, A. A., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., 23 нояб. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 6, 3 стр., 062030.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Features of Microwave Photoconductance of Quantum Point Contact and Silicon Field-Effect Transistor

    Jaroshevich, A. S., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Kuzmin, N. S., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E., Antonov, V. A., Popov, V. P. & Latyshev, A. V., сент. 2024, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 88, 9, стр. 1505-1512 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing

    Petrov, A. S., Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2019, в: Semiconductors. 53, 4, стр. 434-438 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Etching of step-bunched Si(1 1 1) surface by Se molecular beam observed by in situ REM

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Ponomarev, S. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2020, в: Journal of Crystal Growth. 529, 125273.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Etching Kinetics of Si(111) Surface by Selenium Molecular Beam

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Petrov, A. S., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., сент. 2020, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 56, 5, стр. 449-455 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Element base of quantum informatics I. Qubits of a quantum computer based on single atoms in optical traps

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 109-120 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Element base of quantum informatics II: Quantum communications with single photons

    Ryabtsev, I. I., Tretyakov, D. B., Kolyako, A. V., Pleshkov, A. S., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 121-130 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3436806