11 - 20 из 94Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Two-dimensional photonic crystals fabrication and close-packing by electron-beam lithography

    Utkin, D. E., Nasimov, D. A. & Latyshev, A. V., 2012, 2012 13th Annual International Conference and Seminar of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM'2012 - Proceedings. стр. 47-50 4 стр. 6310185. (International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  2. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces: Experiment and Monte Carlo Simulation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Alperovich, V. L., Shwartz, N. L., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 618-621 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Thermal roughening of GaAs surface by unwinding dislocation-induced spiral atomic steps during sublimation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Rudaya, N. S., Kozhukhov, A. S., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2020, в: Applied Surface Science. 529, 6 стр., 147090.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Thermal Hysteresis in the Resistance of In2Se3Film on Si(111) Surface

    Ponomarev, S., Rogilo, D., Mironov, A., Sheglov, D. & Latyshev, A., 30 июн. 2021, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings. IEEE Computer Society, стр. 50-53 4 стр. 9507592. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2021-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  6. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 325-344 20 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  7. Surface enhanced IR absorption by cortisol molecules

    Milekhin, I. A., Kuznetsov, S. A., Milekhin, A. G., Duda, T. A., Cherkasova, O. P., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1092, 012087.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  8. Surface-Enhanced Infrared Absorption by Optical Phonons in Nanocrystal Monolayers on Au Nanoantenna Arrays

    Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Sveshnikova, L. L., Duda, T. A., Milekhin, I. A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 16 мар. 2017, в: Journal of Physical Chemistry C. 121, 10, стр. 5779-5786 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Study of Structural Modification of Composites with Ge Nanoclusters by Optical and Electron Microscopy Methods

    Astankova, K. N., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2019, в: Semiconductors. 53, 16, стр. 2064-2067 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Structural transitions on Si(1 1 1) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Zhachuk, R. A., Vergules, A. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 30 янв. 2023, в: Applied Surface Science. 609, 155367.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...10 Далее

ID: 3436806