21 - 30 из 82Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing

    Petrov, A. S., Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2019, в: Semiconductors. 53, 4, стр. 434-438 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Formation of 2D-PhCs with missing holes based on Si-layers by EBL

    Utkin, D. E., Shklyev, A. A., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., 23 нояб. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 6, 3 стр., 062030.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Formation of DNA molecules ordered systems on silicon surfaces

    Matkhonova, E. Y., Utkin, D. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Nasimov, D. A. & Latyshev, A. V., 2012, 2012 13th Annual International Conference and Seminar of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM'2012 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 13-15 3 стр. 6310204. (International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  4. Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions

    Alperovich, V. L., Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Rudaya, N. S., Rodyakina, E. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Karpov, A. N., Shwartz, N. L., Terekhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 255-277 23 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  5. Formation of Periodic Structures (2D-PhCs) by Scanning Electron Lithography

    Utkin, D., Shklyev, A., Tsarev, A., Latyshev, A. & Nasimov, D., 1 янв. 2017, в: Physics Procedia. 86, стр. 127-130 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  6. Giant gap-plasmon tip-enhanced Raman scattering of MoS2 monolayers on Au nanocluster arrays

    Milekhin, A. G., Rahaman, M., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 14 февр. 2018, в: Nanoscale. 10, 6, стр. 2755-2763 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Giant microwave-induced B -periodic magnetoresistance oscillations in a two-dimensional electron gas with a bridged-gate tunnel point contact

    Levin, A. D., Mikhailov, S. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 4 стр., 081408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Giant Terahertz Photoconductance of Quantum Point Contacts in the Tunneling Regime

    Otteneder, M., Kvon, Z. D., Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Jaroshevich, A. S., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V. & Ganichev, S. D., 17 июл. 2018, в: Physical Review Applied. 10, 1, 9 стр., 014015.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. In situ reflection electron microscopy for investigation of surface processes on Bi2Se3(0001)

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Kurus, N. N., Basalaeva, L. S., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 13 сент. 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 1984, 1, 012016.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  10. Interdisk spacing effect on resonant properties of Ge disk lattices on Si substrates

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V., Kuznetsov, S. A., Anikin, K. V. & Latyshev, A. V., дек. 2022, в: Scientific Reports. 12, 1, 8123.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Далее

ID: 3436806