1 - 34 из 34Размер страницы: 100
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Parametrization of the charge-carrier mobility in organic disordered semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Hertel, D., Meerholz, K. & Gebhard, F., июл. 2024, в: Physical Review Applied. 22, 1, 12 стр., 014019.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2023

  4. Quantum states in disordered media. II. Spatial charge carrier distribution

    Nenashev, A. V., Baranovskii, S. D., Meerholz, K. & Gebhard, F., 1 февр. 2023, в: Physical Review B. 107, 6, 23 стр., 064207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Quantum states in disordered media. I. Low-pass filter approach

    Gebhard, F., Nenashev, A. V., Meerholz, K. & Baranovskii, S. D., 2023, в: Physical Review B. 107, 6, 17 стр., 064206.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2022

  7. Groups of Ge nanoislands grown outside pits on pit-patterned Si substrates

    Rudin, S. A., Zinovyev, V. A., Smagina, Z. V., Novikov, P. L., Nenashev, A. V. & Pavsky, K. V., 1 сент. 2022, в: Journal of Crystal Growth. 593, 126763.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Percolation Description of Charge Transport in Amorphous Oxide Semiconductors: Band Conduction Dominated by Disorder

    Nenashev, A. V., Gebhard, F., Meerholz, K. & Baranovskii, S. D., авг. 2022, Amorphous Oxide Semiconductors: A singular resource on amorphous oxide semiconductors edited by a world-recognized pioneer in the field. Hosono, H. & Kumomi, H. (ред.). Wiley-VCH Verlag, стр. 125-144 20 стр. (Amorphous Oxide Semiconductors).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  9. Comment on “Interplay of Structural and Optoelectronic Properties in Formamidinium Mixed Tin-Lead Triiodide Perovskites”

    Baranovskii, S. D., Höhbusch, P., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gerhard, M., Hertel, D., Meerholz, K., Koch, M. & Gebhard, F., 25 июл. 2022, в: Advanced Functional Materials. 32, 30, 2201309.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Generating Function Method for Calculating the Potentials of Inhomogeneous Polyhedra

    Nenashev, A. V., 20 янв. 2022, в: Frontiers in Physics. 9, 795693.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Weak antilocalization to weak localization transition in Bi2Se3 films on graphene

    Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D. & Antonova, I. V., янв. 2022, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 135, 114969.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2021

  13. Tunneling current modulation in atomically precise graphene nanoribbon heterojunctions

    Senkovskiy, B. V., Nenashev, A. V., Alavi, S. K., Falke, Y., Hell, M., Bampoulis, P., Rybkovskiy, D. V., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Chernov, A. I., Gebhard, F., Meerholz, K., Hertel, D., Arita, M., Okuda, T., Miyamoto, K., Shimada, K., Fischer, F. R., Michely, T., Baranovskii, S. D., еще 3Lindfors, K., Szkopek, T. & Grüneis, A., 1 дек. 2021, в: Nature Communications. 12, 1, стр. 2542 2542.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. One-stage formation of two-dimensional photonic crystal and spatially ordered arrays of self-assembled ge(Si) nanoislandson pit-patterned silicon-on-insulator substrate

    Novikov, A. V., Smagina, Z. V., Stepikhova, M. V., Zinovyev, V. A., Rudin, S. A., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Nenashev, A. V., Sergeev, S. M., Peretokin, A. V. & Dvurechenskii, A. V., апр. 2021, в: Nanomaterials. 11, 4, 909.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emelyanov, E. A., Nenashev, A. V., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Putyato, M. A., Bogomolov, D. B., Gutakovskiy, A. K. & Preobrazhenskiy, V. V., февр. 2021, в: Semiconductors. 55, 2, стр. 194-201 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Shklyaev, A. A., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., янв. 2021, в: JETP Letters. 113, 1, стр. 52-56 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. 2020

  18. Self-Organization of Ge(Si) Nanoisland Groups on Pit-Patterned Si(100) Substrates

    Smagina, Z. V., Zinoviev, V. A., Rudin, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, P. L., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 14, стр. 1866-1868 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Comment on "charge transport in disordered semiconducting polymers driven by nuclear tunneling"

    Nenashev, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 1 авг. 2020, в: Physical Review B. 102, 6, 1 стр., 066201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Luminescence of Spatially Ordered Self-Assembled Solitary Ge(Si) Nanoislands and their Groups Incorporated into Photonic Crystals

    Smagina, Z. V., Novikov, A. V., Stepikhova, M. V., Zinovyev, V. A., Rodyakina, E. E., Nenashev, A. V., Sergeev, S. M., Peretokin, A. V., Kuchinskaya, P. A., Shaleev, M. V., Gusev, S. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 авг. 2020, в: Semiconductors. 54, 8, стр. 853-859 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Magnetic field effect on the slow relaxation of photoconductance in tunnel coupled quantum dot arrays

    Stepina, N. P., Shumilin, A. V., Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Gornov, A. Y. & Dvurechenskii, A. V., июл. 2020, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 121, 5 стр., 114126.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Self-assembled epitaxial metal-semiconductor nanostructures with enhanced GeSi quantum dot luminescence

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Katsuba, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 28 июн. 2020, в: Journal of Applied Physics. 127, 24, 7 стр., 243108.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. Photoluminescence of compact GeSi quantum dot groups with increased probability of finding an electron in Ge

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Teys, S. A., Dvurechenskii, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 9 июн. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 9 стр., 9308.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  24. Variational method of energy level calculation in pyramidal quantum dots

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 21 апр. 2020, в: Journal of Applied Physics. 127, 15, 8 стр., 154301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  25. 2019

  26. Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 12 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 12, 8 стр., 125202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  27. Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  28. Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  29. 2018

  30. Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

    Rudin, S. A., Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Novikov, P. L., Nenashev, A. V., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1457-1461 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  31. Release of carriers from traps enhanced by hopping

    Nenashev, A. V., Valkovskii, V. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Semeniuk, O., Reznik, A., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 30 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  32. Field-enhanced mobility in the multiple-trapping regime

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Jandieri, K., Valkovskii, V. V., Semeniuk, O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F., Juška, G., Reznik, A. & Baranovskii, S. D., 3 июл. 2018, в: Physical Review B. 98, 3, 8 стр., 035201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  33. Quantum Gates with Spin States in Continuous Microwave Field

    Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A., Zarodnyuk, T. S., Gornov, A. Y. & Dvurechenskii, A. V., 1 июл. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 4, стр. 268-278 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  34. Approximate analytical description of the elastic strain field due to an inclusion in a continuous medium with cubic anisotropy

    Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 14 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 10, 11 стр., 105104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  35. 2017

  36. Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Strain-Patterned Substrates

    Dvurechenskii, A., Zinovieva, A., Zinovyev, V., Nenashev, A., Smagina, Z., Teys, S., Shklyaev, A., Erenburg, S., Trubina, S., Borodavchenko, O., Zhivulko, V. & Mudryi, A., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 6 стр., 1700187.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  37. Field dependence of hopping mobility: Lattice models against spatial disorder

    Oelerich, J. O., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 нояб. 2017, в: Physical Review B. 96, 19, 9 стр., 195208.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  38. Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots

    Stepina, N. P., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2017, в: JETP Letters. 106, 5, стр. 308-312 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  39. Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  40. Analytical theory for charge carrier recombination in blend organic solar cells

    Nenashev, A. V., Wiemer, M., Dvurechenskii, A. V., Kulik, L. V., Pevtsov, A. B., Gebhard, F., Koch, M. & Baranovskii, S. D., 28 мар. 2017, в: Physical Review B. 95, 10, 12 стр., 104207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  41. Elastic strain field due to an inclusion of a polyhedral shape with a non-uniform lattice misfit

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 28 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 12, 19 стр., 125102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  42. ESR Study of Electron States in Ge/Si Heterostructures with Nanodisc Shaped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2017, в: Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 231, 2, стр. 405-423 19 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3444000