Quantum states in disordered media. II. Spatial charge carrier distribution

Nenashev, A. V., Baranovskii, S. D., Meerholz, K. & Gebhard, F., 1 февр. 2023, в: Physical Review B. 107, 6, 23 стр., 064207.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Quantum states in disordered media. I. Low-pass filter approach

Gebhard, F., Nenashev, A. V., Meerholz, K. & Baranovskii, S. D., 2023, в: Physical Review B. 107, 6, 17 стр., 064206.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Groups of Ge nanoislands grown outside pits on pit-patterned Si substrates

Rudin, S. A., Zinovyev, V. A., Smagina, Z. V., Novikov, P. L., Nenashev, A. V. & Pavsky, K. V., 1 сент. 2022, в: Journal of Crystal Growth. 593, 126763.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Comment on “Interplay of Structural and Optoelectronic Properties in Formamidinium Mixed Tin-Lead Triiodide Perovskites”

Baranovskii, S. D., Höhbusch, P., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gerhard, M., Hertel, D., Meerholz, K., Koch, M. & Gebhard, F., 25 июл. 2022, в: Advanced Functional Materials. 32, 30, 2201309.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Generating Function Method for Calculating the Potentials of Inhomogeneous Polyhedra

Nenashev, A. V., 20 янв. 2022, в: Frontiers in Physics. 9, 795693.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Weak antilocalization to weak localization transition in Bi₂Se₃ films on graphene

Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D. & Antonova, I. V., янв. 2022, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 135, 114969.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Tunneling current modulation in atomically precise graphene nanoribbon heterojunctions

Senkovskiy, B. V., Nenashev, A. V., Alavi, S. K., Falke, Y., Hell, M., Bampoulis, P., Rybkovskiy, D. V., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Chernov, A. I., Gebhard, F., Meerholz, K., Hertel, D., Arita, M., Okuda, T., Miyamoto, K., Shimada, K., Fischer, F. R., Michely, T., Baranovskii, S. D., еще 3Lindfors, K., Szkopek, T. & Grüneis, A., 1 дек. 2021, в: Nature Communications. 12, 1, стр. 2542 2542.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

One-stage formation of two-dimensional photonic crystal and spatially ordered arrays of self-assembled ge(Si) nanoislandson pit-patterned silicon-on-insulator substrate

Novikov, A. V., Smagina, Z. V., Stepikhova, M. V., Zinovyev, V. A., Rudin, S. A., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Nenashev, A. V., Sergeev, S. M., Peretokin, A. V. & Dvurechenskii, A. V., апр. 2021, в: Nanomaterials. 11, 4, 909.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emelyanov, E. A., Nenashev, A. V., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Putyato, M. A., Bogomolov, D. B., Gutakovskiy, A. K. & Preobrazhenskiy, V. V., февр. 2021, в: Semiconductors. 55, 2, стр. 194-201 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование