Groups of Ge nanoislands grown outside pits on pit-patterned Si substrates

Rudin, S. A., Zinovyev, V. A., Smagina, Z. V., Novikov, P. L., Nenashev, A. V. & Pavsky, K. V., 1 сент. 2022, в: Journal of Crystal Growth. 593, 126763.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Generating Function Method for Calculating the Potentials of Inhomogeneous Polyhedra

Nenashev, A. V., 20 янв. 2022, в: Frontiers in Physics. 9, 795693.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emelyanov, E. A., Nenashev, A. V., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Putyato, M. A., Bogomolov, D. B., Gutakovskiy, A. K. & Preobrazhenskiy, V. V., февр. 2021, в: Semiconductors. 55, 2, стр. 194-201 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Field-enhanced mobility in the multiple-trapping regime

Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Jandieri, K., Valkovskii, V. V., Semeniuk, O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F., Juška, G., Reznik, A. & Baranovskii, S. D., 3 июл. 2018, в: Physical Review B. 98, 3, 8 стр., 035201.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Field dependence of hopping mobility: Lattice models against spatial disorder

Oelerich, J. O., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 нояб. 2017, в: Physical Review B. 96, 19, 9 стр., 195208.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ESR Study of Electron States in Ge/Si Heterostructures with Nanodisc Shaped Quantum Dots

Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2017, в: Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 231, 2, стр. 405-423 19 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots

Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Shklyaev, A. A., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., янв. 2021, в: JETP Letters. 113, 1, стр. 52-56 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Elastic strain field due to an inclusion of a polyhedral shape with a non-uniform lattice misfit

Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 28 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 12, 19 стр., 125102.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование