Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

Rudin, S. A., Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Novikov, P. L., Nenashev, A. V., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1457-1461 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Release of carriers from traps enhanced by hopping

Nenashev, A. V., Valkovskii, V. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Semeniuk, O., Reznik, A., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 30 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155207.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Field-enhanced mobility in the multiple-trapping regime

Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Jandieri, K., Valkovskii, V. V., Semeniuk, O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F., Juška, G., Reznik, A. & Baranovskii, S. D., 3 июл. 2018, в: Physical Review B. 98, 3, 8 стр., 035201.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Quantum Gates with Spin States in Continuous Microwave Field

Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A., Zarodnyuk, T. S., Gornov, A. Y. & Dvurechenskii, A. V., 1 июл. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 4, стр. 268-278 11 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Approximate analytical description of the elastic strain field due to an inclusion in a continuous medium with cubic anisotropy

Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 14 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 10, 11 стр., 105104.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Strain-Patterned Substrates

Dvurechenskii, A., Zinovieva, A., Zinovyev, V., Nenashev, A., Smagina, Z., Teys, S., Shklyaev, A., Erenburg, S., Trubina, S., Borodavchenko, O., Zhivulko, V. & Mudryi, A., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 6 стр., 1700187.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Field dependence of hopping mobility: Lattice models against spatial disorder

Oelerich, J. O., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 нояб. 2017, в: Physical Review B. 96, 19, 9 стр., 195208.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots

Stepina, N. P., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2017, в: JETP Letters. 106, 5, стр. 308-312 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование