Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

Rudin, S. A., Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Novikov, P. L., Nenashev, A. V., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1457-1461 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Release of carriers from traps enhanced by hopping

Nenashev, A. V., Valkovskii, V. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Semeniuk, O., Reznik, A., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 30 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155207.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Field-enhanced mobility in the multiple-trapping regime

Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Jandieri, K., Valkovskii, V. V., Semeniuk, O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F., Juška, G., Reznik, A. & Baranovskii, S. D., 3 июл. 2018, в: Physical Review B. 98, 3, 8 стр., 035201.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Quantum Gates with Spin States in Continuous Microwave Field

Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A., Zarodnyuk, T. S., Gornov, A. Y. & Dvurechenskii, A. V., 1 июл. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 4, стр. 268-278 11 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Approximate analytical description of the elastic strain field due to an inclusion in a continuous medium with cubic anisotropy

Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 14 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 10, 11 стр., 105104.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Strain-Patterned Substrates

Dvurechenskii, A., Zinovieva, A., Zinovyev, V., Nenashev, A., Smagina, Z., Teys, S., Shklyaev, A., Erenburg, S., Trubina, S., Borodavchenko, O., Zhivulko, V. & Mudryi, A., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 6 стр., 1700187.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Field dependence of hopping mobility: Lattice models against spatial disorder

Oelerich, J. O., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 нояб. 2017, в: Physical Review B. 96, 19, 9 стр., 195208.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots

Stepina, N. P., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2017, в: JETP Letters. 106, 5, стр. 308-312 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование