1. A Mask Based on a Si Epitaxial Layer for the Self-Catalytic Nanowire Growth on GaAs(111)B and GaAs(100) Substrates

    Emelyanov, E. A., Nastovjak, A. G., Petrushkov, M. O., Esin, M. Y., Gavrilova, T. A., Putyato, M. A., Schwartz, N. L., Shvets, V. A., Vasev, A. V., Semyagin, B. R. & Preobrazhenskii, V. V., 1 февр. 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 2, стр. 161-164 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3456539