1. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийпредисловие, научный комментарий, послесловиенаучнаяРецензирование

  2. Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 131-155 25 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  3. MBE-grown MCT hetero- A nd nanostructures for IR and THz detectors

    Dvoretsky, S. A., Mikhailov, N. N., Remesnik, V. G., Sidorov, Y. G., Shvets, V. A., Ikusov, D. G., Varavin, V. S., Yakushev, M. V., Gumenjuk-Sichevska, J. V., Golenkov, A. G., Lysiuk, I. O., Tsybrii, Z. F., Shevchik-Shekera, A. V., Sizov, F. F., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 сент. 2019, в: Opto-electronics Review. 27, 3, стр. 282-290 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Element base of quantum informatics I. Qubits of a quantum computer based on single atoms in optical traps

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 109-120 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Element base of quantum informatics II: Quantum communications with single photons

    Ryabtsev, I. I., Tretyakov, D. B., Kolyako, A. V., Pleshkov, A. S., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 121-130 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior

    Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв. 2020, в: Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Biosensors Based on SOI Nanowire Transistors for Biomedicine and Virusology

    Naumova, O. V., Generalov, V. M., Zaitseva, E. G., Latyshev, A. V., Aseev, A. L., Pyankov, S. A., Kolosova, I. V., Ananko, G. G., Agafonov, A. P., Gavrilova, E. V., Maksyutov, R. A. & Safatov, A. S., мая 2021, в: Russian Microelectronics. 50, 3, стр. 137-145 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Atomic Structure of Semiconductor Low-Dimensional Heterosystems

    Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 223-253 31 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  9. Atomic Processes on the Silicon Surface

    Latyshev, A. V., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I., Rodyakina, E. E., Nasimov, D. A., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 189-221 33 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 8571309