11 - 20 из 24Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Universality of the (113) Habit Plane in Si for Mixed Aggregation of Vacancies and Self-Interstitial Atoms Provided by Topological Bond Defect Formation

    Fedina, L. I., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 383-407 25 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  2. SOI-FET Sensors with Dielectrophoretic Concentration of Viruses and Proteins

    Naumova, O., Generalov, V., Shcherbakov, D., Zaitseva, E., Zhivodkov, Y., Kozhukhov, A., Latyshev, A., Aseev, A., Safatov, A., Buryak, G., Cheremiskina, A., Merkuleva, J. & Rudometova, N., 8 нояб. 2022, в: Biosensors. 12, 11

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Semiconductor nanostructures for modern electronics

    Aseev, A. L., Latyshev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 2020, Advanced Research in Materials Science III. Davaasambuu, J. (ред.). Trans Tech Publications Ltd, стр. 65-80 16 стр. (Solid State Phenomena; том 310 SSP).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  4. Scientific Heritage of S. V. Bogdanov

    Kidyarov, B. I., Kolosovsky, E. A., Tsarev, A. V., Neizvestny, I. G., Aseev, A. L., Latyshev, A. V., Chaplik, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 539-543 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  6. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  7. Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 131-155 25 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  8. MBE-grown MCT hetero- A nd nanostructures for IR and THz detectors

    Dvoretsky, S. A., Mikhailov, N. N., Remesnik, V. G., Sidorov, Y. G., Shvets, V. A., Ikusov, D. G., Varavin, V. S., Yakushev, M. V., Gumenjuk-Sichevska, J. V., Golenkov, A. G., Lysiuk, I. O., Tsybrii, Z. F., Shevchik-Shekera, A. V., Sizov, F. F., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 сент. 2019, в: Opto-electronics Review. 27, 3, стр. 282-290 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Element base of quantum informatics I. Qubits of a quantum computer based on single atoms in optical traps

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 109-120 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Element base of quantum informatics II: Quantum communications with single photons

    Ryabtsev, I. I., Tretyakov, D. B., Kolyako, A. V., Pleshkov, A. S., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 121-130 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 8571309