1. Amplified luminescence of heavily doped AlxGa1-xN structures under optical pumping

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevskii, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 янв. 2018, в: Quantum Electronics. 48, 3, стр. 215-221 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3435398