Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Topological surface states in thick partially relaxed HgTe films

Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Vasilev, N. N., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Kolesnikov, A. V., 14 мая 2019, в: Physical Review B. 99, 19, 7 стр., 195423.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Superradiant and transport lifetimes of the cyclotron resonance in the topological insulator HgTe

Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 20 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 5 стр., 115130.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators

Rahim, A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Microelectronic Engineering. 206, стр. 55-59 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells

Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Krishtopenko, S. S., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Fizika Nizkikh Temperatur. 45, 2, стр. 185-191 7 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells

Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Krishtopenko, S. S., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Low Temperature Physics. 45, 2, стр. 159-164 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electronic thermal conductivity in 2D topological insulator in a HgTe quantum well

Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Levin, A. D., Olshanetsky, E. B., Raichev, O. E., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 29 янв. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 831 7 стр., 831.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well

Gusev, G. M., Raichev, O. E., Olshanetsky, E. B., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2019, в: 2D Materials. 6, 1, 11 стр., 014001.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells

Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Braginskii, L. S., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1468-1472 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Two-dimensional semimetal in HgTe quantum well under hydrostatic pressure

Prudkoglyad, V. A., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Pudalov, V. M., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 24 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155437.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование