Erratum to: Several Articles in JETP Letters

Рыжков, М. С., Худайбердиев, Д. А., Козлов, Д. А., Квон, З. Д., Михайлов, Н. Н. & Dvoretsky, S. A., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 655-656 2 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 115, 4, (181-185), 10.1134/S0021364022040105)

Sazonova, S. V., Ageev, E. I., Iudin, V. A., Sun, Y., Petrova, E. A., Kustov, P. N., Yaroshenko, V. V., Mikhailova, J. V., Gudovskikh, A. S., Mukhin, I. S., Zuev, D. A., Ryzhkov, M. S., Khudaiberdiev, D. A., Kozlov, D. A., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Dolganov, P. V., Dolganov, V. K., Kats, E. I., еще 8Sakhin, V., Kukovitsky, E., Talanov, Y., Teitel’baum, G., Morgun, L., Borisov, A., Usoltsev, A. & Pudalov, V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 655-656 2 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

Energy spectrum of semimetallic HgTe quantum wells

Gospodarič, J., Shuvaev, A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., 15 сент. 2021, в: Physical Review B. 104, 11, 115307.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators

Rahim, A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Microelectronic Engineering. 206, стр. 55-59 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electronic thermal conductivity in 2D topological insulator in a HgTe quantum well

Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Levin, A. D., Olshanetsky, E. B., Raichev, O. E., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 29 янв. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 831 7 стр., 831.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Edge states in lateral p-n junctions in inverted-band HgTe quantum wells

Piatrusha, S. U., Khrapai, V. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Tikhonov, E. S., 20 дек. 2017, в: Physical Review B. 96, 24, 10 стр., 245417.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Edge and Bulk Transport in a Two-Dimensional Topological Insulator Based on a CdHgTe Quantum Well

Ryzhkov, M. S., Khudaiberdiev, D. A., Kozlov, D. A., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., февр. 2022, в: JETP Letters. 115, 4, стр. 202-207 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Demonstration of high sensitivity of microwave-induced resistance oscillations to circular polarization

Savchenko, M. L., Shuvaev, A., Dmitriev, I. A., Ganichev, S. D., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 15 окт. 2022, в: Physical Review B. 106, 16, L161408.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Band structure of a two-dimensional Dirac semimetal from cyclotron resonance

Shuvaev, A. M., Dziom, V., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Shao, Y., Basov, D. N. & Pimenov, A., 12 окт. 2017, в: Physical Review B. 96, 15, 7 стр., 155434.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование