1. Geometric engineering of viscous magnetotransport in a two-dimensional electron system

    Levin, A. D., Gusev, G. M., Yaroshevich, A. S., Kvon, Z. D. & Bakarov, A. K., 15 сент. 2023, в: Physical Review B. 108, 11, 9 стр., 115310.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Gated two-dimensional electron gas in magnetic field: Nonlinear versus linear regime

    Dyakonova, N., Dyakonov, M. & Kvon, Z. D., 24 нояб. 2020, в: Physical Review B. 102, 20, 6 стр., 205305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells

    Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Braginskii, L. S., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1468-1472 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Features of Microwave Photoconductance of Quantum Point Contact and Silicon Field-Effect Transistor

    Jaroshevich, A. S., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Kuzmin, N. S., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E., Antonov, V. A., Popov, V. P. & Latyshev, A. V., сент. 2024, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 88, 9, стр. 1505-1512 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 116, 2, (83-89), 10.1134/S0021364022601208)

    Semenin, N. V., Borisenko, A. S., Zalivako, I. V., Semerikov, I. A., Aksenov, M. D., Khabarova, K. Y., Kolachevsky, N. N., Glazyrin, S. I., Lykov, V. A., Karpov, S. A., Karlykhanov, N. G., Gryaznykh, D. A., Bychenkov, V. Y., Karelina, L. N., Shuravin, N. S., Ionin, A. S., Bakurskiy, S. V., Egorov, S. V., Golovchanskiy, I. A., Chichkov, V. I., еще 6Bol’ginov, V. V., Ryazanov, V. V., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. ERRATUM TO: SEVERAL ARTICLES IN JETP LETTERS

    Казанцев, Д. М., Альперович, В. Л., Ткаченко, В. А. & Квон, З. Д., дек. 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  7. Erratum to: Several Articles in JETP Letters

    Рыжков, М. С., Худайбердиев, Д. А., Козлов, Д. А., Квон, З. Д., Михайлов, Н. Н. & Dvoretsky, S. A., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 655-656 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  8. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 115, 4, (181-185), 10.1134/S0021364022040105)

    Sazonova, S. V., Ageev, E. I., Iudin, V. A., Sun, Y., Petrova, E. A., Kustov, P. N., Yaroshenko, V. V., Mikhailova, J. V., Gudovskikh, A. S., Mukhin, I. S., Zuev, D. A., Ryzhkov, M. S., Khudaiberdiev, D. A., Kozlov, D. A., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Dolganov, P. V., Dolganov, V. K., Kats, E. I., еще 8Sakhin, V., Kukovitsky, E., Talanov, Y., Teitel’baum, G., Morgun, L., Borisov, A., Usoltsev, A. & Pudalov, V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 655-656 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  9. Energy spectrum of semimetallic HgTe quantum wells

    Gospodarič, J., Shuvaev, A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., 15 сент. 2021, в: Physical Review B. 104, 11, 115307.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators

    Rahim, A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Microelectronic Engineering. 206, стр. 55-59 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3456020