1. Electronic thermal conductivity in 2D topological insulator in a HgTe quantum well

    Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Levin, A. D., Olshanetsky, E. B., Raichev, O. E., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 29 янв. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 831 7 стр., 831.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators

    Rahim, A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Microelectronic Engineering. 206, стр. 55-59 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Energy spectrum of semimetallic HgTe quantum wells

    Gospodarič, J., Shuvaev, A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., 15 сент. 2021, в: Physical Review B. 104, 11, 115307.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 115, 4, (181-185), 10.1134/S0021364022040105)

    Sazonova, S. V., Ageev, E. I., Iudin, V. A., Sun, Y., Petrova, E. A., Kustov, P. N., Yaroshenko, V. V., Mikhailova, J. V., Gudovskikh, A. S., Mukhin, I. S., Zuev, D. A., Ryzhkov, M. S., Khudaiberdiev, D. A., Kozlov, D. A., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Dolganov, P. V., Dolganov, V. K., Kats, E. I., еще 8Sakhin, V., Kukovitsky, E., Talanov, Y., Teitel’baum, G., Morgun, L., Borisov, A., Usoltsev, A. & Pudalov, V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 655-656 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхкомментарий, выступлениеРецензирование

  5. Erratum to: Several Articles in JETP Letters

    Рыжков, М. С., Худайбердиев, Д. А., Козлов, Д. А., Квон, З. Д., Михайлов, Н. Н. & Dvoretsky, S. A., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 655-656 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхкомментарий, выступлениеРецензирование

  6. ERRATUM TO: SEVERAL ARTICLES IN JETP LETTERS

    Казанцев, Д. М., Альперович, В. Л., Ткаченко, В. А. & Квон, З. Д., дек. 2022, в: JETP Letters. 116, 142, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхкомментарий, выступлениеРецензирование

  7. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 116, 2, (83-89), 10.1134/S0021364022601208)

    Semenin, N. V., Borisenko, A. S., Zalivako, I. V., Semerikov, I. A., Aksenov, M. D., Khabarova, K. Y., Kolachevsky, N. N., Glazyrin, S. I., Lykov, V. A., Karpov, S. A., Karlykhanov, N. G., Gryaznykh, D. A., Bychenkov, V. Y., Karelina, L. N., Shuravin, N. S., Ionin, A. S., Bakurskiy, S. V., Egorov, S. V., Golovchanskiy, I. A., Chichkov, V. I., еще 6Bol’ginov, V. V., Ryazanov, V. V., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Features of Microwave Photoconductance of Quantum Point Contact and Silicon Field-Effect Transistor

    Jaroshevich, A. S., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Kuzmin, N. S., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E., Antonov, V. A., Popov, V. P. & Latyshev, A. V., сент. 2024, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 88, 9, стр. 1505-1512 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells

    Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Braginskii, L. S., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1468-1472 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Gated two-dimensional electron gas in magnetic field: Nonlinear versus linear regime

    Dyakonova, N., Dyakonov, M. & Kvon, Z. D., 24 нояб. 2020, в: Physical Review B. 102, 20, 6 стр., 205305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3456020