41 - 60 из 71Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Shklyaev, A. A., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., янв. 2021, в: JETP Letters. 113, 1, стр. 52-56 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии

    Utkin, D. & Шкляев, А. А., 2021, Нанофизика и наноэлектроника: Материалы XXV Международного симпозиума. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета, Том 2. стр. 885-886 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  4. 2020

  5. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si/In2O3:Er films

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Prosvirin, I. P., Gismatulin, A. A., Shklyaev, A. A., Zhivodkov, Y. A., Krivyakin, G., Komonov, A. I., Kozhukhov, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Pugachev, A. M., Esaev, D. G. & Sidorov, G. Y., дек. 2020, в: Materials Research Express. 7, 12, 11 стр., 125903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. The modification of optical properties of the surfaces by the glancing angle deposition of TiO2

    Lemzyakov, A., Konstantin, K., Porosev, V., Azarov, I. & Shklyaev, A., 17 нояб. 2020, Synchrotron and Free Electron Laser Radiation: Generation and Application, SFR 2020. Knyazev, B. & Vinokurov, N. (ред.). American Institute of Physics Inc., 060008. (AIP Conference Proceedings; том 2299).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  8. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio

    Utkin, D. E., Anikin, K. V., Veber, S. L. & Shklyaev, A. A., нояб. 2020, в: Optical Materials. 109, 5 стр., 110466.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Formation of submicron- and micron-sized SiGe and Ge particles on Si substrates using dewetting

    Shklyaev, A. A., 23 апр. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1461, 1, 3 стр., 012160.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  10. Atomic structure of high Miller index Si(47 35 7) surface

    Zhachuk, R. A., Dolbak, A. E. & Shklyaev, A. A., мар. 2020, в: Surface Science. 693, 5 стр., 121549.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 февр. 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 5, 5 стр., 053104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior

    Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв. 2020, в: Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. 2019

  14. Universal building block for (1 1 0)-family silicon and germanium surfaces

    Zhachuk, R. A. & Shklyaev, A. A., 15 нояб. 2019, в: Applied Surface Science. 494, стр. 46-50 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Nanoscale characterization of photonic metasurface made of lens-like SiGe Mie-resonators formed on Si (100) substrate

    Poborchii, V., Shklyaev, A., Bolotov, L. & Uchida, N., 28 сент. 2019, в: Journal of Applied Physics. 126, 12, 11 стр., 123102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. 2018

  20. Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures

    Shklyaev, A. A., Bolotov, L., Poborchii, V., Tada, T. & Romanyuk, K. N., 15 авг. 2018, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 83, стр. 107-114 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Shapes of the micron-sized SiGe islands grown on Si(100) in Dewetting Conditions

    Budazhapova, A. E. & Shklyaev, A. A., 13 авг. 2018, 2018 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018 - Proceedings. IEEE Computer Society, Том 2018-July. стр. 16-18 3 стр. 8434951

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  22. The observation of the Aharonov-Bohm effect in suspended semiconductor ring interferometers

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Yu Zhdanov, E., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Ishutkin, S. V., Stepanenko, M. V. & Shesterikov, E. V., 2 мар. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 964, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  23. Lateral-electric-field-induced spin polarization in a suspended GaAs quantum point contact

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 19 февр. 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 8, 4 стр., 082102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  24. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 3455017