1. Electrically controlled spin polarization in suspended GaAs quantum point contacts

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 1 янв. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 6, 061001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  2. Effect of Mie resonances in coatings consisting of dielectric particles on the light propagation in substrate surface layers

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., сент. 2023, в: Optical Materials. 143, 114171.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior

    Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв. 2020, в: Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Effect of antireflection microstructures on the optical properties of GaSe

    Yelisseyev, A. P., Isaenko, L. I., Lobanov, S. I., Dostovalov, A. V., Bushunov, A. A., Tarabrin, M. K., Teslenko, A. A., Lazarev, V. A., Shklyaev, A. A., Babin, S. A., Goloshumova, A. A. & Gromilov, S. A., 1 апр. 2022, в: Optical Materials Express. 12, 4, стр. 1593-1608 16 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Disentanglement of physical mechanisms for driving and detection in piezoelectric nanoelectromechanical systems

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Ibyatov, T. M., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A. & Naik, A., 2025, в: Applied Physics Letters. 127, 14, 142202 .

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio

    Utkin, D. E., Anikin, K. V., Veber, S. L. & Shklyaev, A. A., нояб. 2020, в: Optical Materials. 109, 5 стр., 110466.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 1, 5 стр., 012104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Critical conditions for SiGe island formation during Ge deposition on Si(100) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Budazhapova, A. E., 1 янв. 2017, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 57, стр. 18-23 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Coatings consisting of Ge particles on nonwettable Si oxide surfaces and their resonance reflection spectra

    Shklyaev, A. A., 1 мар. 2023, в: Thin Solid Films. 768, 139720.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3455017