11 - 20 из 71Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Effect of antireflection microstructures on the optical properties of GaSe

    Yelisseyev, A. P., Isaenko, L. I., Lobanov, S. I., Dostovalov, A. V., Bushunov, A. A., Tarabrin, M. K., Teslenko, A. A., Lazarev, V. A., Shklyaev, A. A., Babin, S. A., Goloshumova, A. A. & Gromilov, S. A., 1 апр. 2022, в: Optical Materials Express. 12, 4, стр. 1593-1608 16 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior

    Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв. 2020, в: Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Effect of Mie resonances in coatings consisting of dielectric particles on the light propagation in substrate surface layers

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., сент. 2023, в: Optical Materials. 143, 114171.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Electrically controlled spin polarization in suspended GaAs quantum point contacts

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 1 янв. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 6, 061001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  5. Electromechanical coupling in suspended nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012043.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  6. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Electron and hole injection barriers between silicon substrate and RF magnetron sputtered In2O3 : Er films

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Shklyaev, A. A., Protasov, D. Y., Deryabin, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Pugachev, A. M. & Esaev, D. G., 2023, в: Modern Electronic Materials. 9, 2, стр. 57-68 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Electronic state back action on mechanical motion in a quantum point contact coupled to a nanomechanical resonator

    Шевырин, А. А., Бакаров, А. К., Шкляев, А. А. & Погосов, А. Г., 4 нояб. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 19, 192105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Shklyaev, A. A., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., янв. 2021, в: JETP Letters. 113, 1, стр. 52-56 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Electrostatic actuation and charge sensing in piezoelectric nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 мая 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 18, 183105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3455017