11 - 20 из 78Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2018

  2. Electrically controlled spin polarization in suspended GaAs quantum point contacts

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 1 янв. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 6, 061001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  3. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Lateral-electric-field-induced spin polarization in a suspended GaAs quantum point contact

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 19 февр. 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 8, 4 стр., 082102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. The observation of the Aharonov-Bohm effect in suspended semiconductor ring interferometers

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Yu Zhdanov, E., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Ishutkin, S. V., Stepanenko, M. V. & Shesterikov, E. V., 2 мар. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 964, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  6. Shapes of the micron-sized SiGe islands grown on Si(100) in Dewetting Conditions

    Budazhapova, A. E. & Shklyaev, A. A., 13 авг. 2018, 2018 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018 - Proceedings. IEEE Computer Society, Том 2018-July. стр. 16-18 3 стр. 8434951. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2018-July).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  7. Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures

    Shklyaev, A. A., Bolotov, L., Poborchii, V., Tada, T. & Romanyuk, K. N., 15 авг. 2018, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 83, стр. 107-114 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2019

  9. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Nanoscale characterization of photonic metasurface made of lens-like SiGe Mie-resonators formed on Si (100) substrate

    Poborchii, V., Shklyaev, A., Bolotov, L. & Uchida, N., 28 сент. 2019, в: Journal of Applied Physics. 126, 12, 11 стр., 123102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3455017