1. 2026
  2. 2023
  3. Kinetically driven thermal roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhuhov, A. S., Khoroshilov, V. S., Shwartz, N. L., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 мар. 2023, в: Physica Scripta. 98, 3, 035702.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. ОЛИМПИАДНЫЕ ВАРИАНТЫ ЗАДАЧ ПО ЭЛЕКТРОДИНАМИКЕ

    Яковлев, В. А., Погосов, А. Г., Синицкий, С. Л., Володин, В. А., Брагинский, Л. С., Зайцев, А. В., Богомягков, А. В., Захаров, М. И., Жданов, Е. Ю., Казанцев, Д. М., Калинин, П. В., Котельникова, М. С., Максимов, Д. А., Новиков, П. Л., Похабов, Д. А., Сандалов, Е. С., Симонов, А. А., Степанов, В. Д., Шушаков, А. В. & Шушаков, О. А., 2023, Новосиб. гос. ун-т. - Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2023. 152 стр.

    Результаты исследований: Книги, отчёты, сборники › учебное пособие › Рецензирование

  5. 2022
  6. ERRATUM TO: SEVERAL ARTICLES IN JETP LETTERS

    Казанцев, Д. М., Альперович, В. Л., Ткаченко, В. А. & Квон, З. Д., дек. 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  7. Spectral Maximum in the Terahertz Photoconductance of a Quantum Point Contact

    Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., июл. 2022, в: JETP Letters. 116, 2, стр. 117-122 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Asymmetry of anticrossing between atomic steps on metal and semiconductor surfaces

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Coupeau, C. & Drouet, M., 28 мар. 2022, в: Journal of Physics: Conference Series. 2227, 1, 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  9. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 116, 2, (83-89), 10.1134/S0021364022601208)

    Semenin, N. V., Borisenko, A. S., Zalivako, I. V., Semerikov, I. A., Aksenov, M. D., Khabarova, K. Y., Kolachevsky, N. N., Glazyrin, S. I., Lykov, V. A., Karpov, S. A., Karlykhanov, N. G., Gryaznykh, D. A., Bychenkov, V. Y., Karelina, L. N., Shuravin, N. S., Ionin, A. S., Bakurskiy, S. V., Egorov, S. V., Golovchanskiy, I. A., Chichkov, V. I., еще 6Bol’ginov, V. V., Ryazanov, V. V., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Transition from Sublimation to Growth in Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces

    Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhuhov, A. S. & Alperovich, V. L., 2022, Proceedings of the 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2022. IEEE Computer Society, стр. 25-28 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2022-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  11. 2021
  12. Photoemission and photon-enhanced thermionic emission: Effect of jump in electron mass

    Alperovich, V. L., Kazantsev, D. M., Zhuravlev, A. G. & Shvartsman, L. D., 30 сент. 2021, в: Applied Surface Science. 561, 149987.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. 2020
  14. Photoemission from p-GaAs(Cs,O) under transition from negative to positive electron affinity

    Protopopov, D. E., Khoroshilov, V. S., Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M. & Alperovich, V. L., 28 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  15. Thermal roughening of GaAs surface by unwinding dislocation-induced spiral atomic steps during sublimation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Rudaya, N. S., Kozhukhov, A. S., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2020, в: Applied Surface Science. 529, 6 стр., 147090.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Photovoltage measurement by modulated photoemission on the p-GaAs surface with cesium overlayers

    Khoroshilov, V. S., Protopopov, D. E., Kazantsev, D. M. & Zhuravlev, A. G., 1 мар. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012013.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  17. 2019
  18. Evolution of photoemission properties on Cs/GaAs and GaAs(Cs,O) surfaces under thermal cycling

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M. & Zhuravlev, A. G., 20 дек. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1410, 1, 012128.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  19. Kinetics of anticrossing between slip traces and vicinal steps on crystal surfaces

    Coupeau, C., Kazantsev, D. M., Drouet, M. & Alperovich, V. L., 15 авг. 2019, в: Acta Materialia. 175, стр. 206-213 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces

    Kazantsev, D. M., Shwartz, N. L. & Alperovich, V. L., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  21. Relaxational kinetics of photoemission from Cs/GaAs and GaAs(Cs,O) surfaces at elevated temperatures

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M. & Zhuravlev, A. G., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012011.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  22. 2018
  23. Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces: Experiment and Monte Carlo Simulation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Alperovich, V. L., Shwartz, N. L., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 618-621 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  24. Optimization of conditions for thermal smoothing GaAs surfaces

    Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Kozhuhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  25. Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers

    Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  26. 2017
  27. Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing

    Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Sheglov, D. V., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2017, в: Applied Surface Science. 406, стр. 307-311 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  28. Thermodynamic and kinetic roughening: Monte Carlo simulation and experiment on GaAs

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 11 апр. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  29. Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions

    Alperovich, V. L., Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Rudaya, N. S., Rodyakina, E. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Karpov, A. N., Shwartz, N. L., Terekhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 255-277 23 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

ID: 3443988