Topological Phase Transitions Driven by Sn Doping in (Mn1−xSnx)Bi2Te4

Tarasov, A. V., Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Eryzhenkov, A. V., Klimovskikh, I. I., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., февр. 2023, в: Symmetry. 15, 2, 469.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Ferromagnetic Layers in a Topological Insulator (Bi,Sb)₂Te₃Crystal Doped with Mn

Frolov, A. S., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Vilkov, O. Y., Golyashov, V., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K., Muntwiler, M., Amati, M., Gregoratti, L., Sirotina, A. P., Abakumov, A. M., Sánchez-Barriga, J. & Yashina, L. V., 27 дек. 2022, в: ACS Nano. 16, 12, стр. 20831-20841 11 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Mixed Type of the Magnetic Order in Intrinsic Magnetic Topological Insulators Mn(Bi,Sb)2Te4

Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Rybkina, A. A., Golovchanskiy, I. A., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Shchetinin, I. V., Golyashov, V. A. & Shikin, A. M., 1 дек. 2022, в: JETP Letters. 116, 11, стр. 817-824 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 115, 5, (292-296), 10.1134/S0021364022100162)

Nizamov, B. A., Pshirkov, M. S., Maydykovskiy, A. I., Mamonov, E. A., Mitetelo, N. V., Soria, S., Murzina, T. V., Shvetsov, O. O., Barash, Y. S., Timonina, A. V., Kolesnikov, N. N., Deviatov, E. V., Volovik, G. E., Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., еще 8Koroleva, A. V., Shikin, A. M., Sukhanova, E. V., Kvashnin, A. G., Agamalyan, M. A., Zakaryan, H. A., Popov, Z. I. & Lunkin, A. V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 657-659 3 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

New Spin-Polarized Electron Source Based on Alkali Antimonide Photocathode

Rusetsky, V. S., Golyashov, V. A., Eremeev, S. V., Kustov, D. A., Rusinov, I. P., Shamirzaev, T. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Tereshchenko, O. E., 14 окт. 2022, в: Physical Review Letters. 129, 16, 166802.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Bi₂Se₃Nanolayer Growth on 2D Printed Graphene

Antonova, I. V., Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Suprun, E. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 сент. 2022, в: Crystal Growth and Design. 22, 9, стр. 5335-5344 10 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Preparation of an Atomically Clean and Structurally Ordered Bi₂Se₃ (0001) Surface without Molecular Beams and Vacuum Cleaving

Tarasov, A. S., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kozhukhov, A. S., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., июн. 2022, в: Russian Journal of Physical Chemistry B. 16, 3, стр. 479-482 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi_{1 –x}Sb _x)₂Te₄ with Various Concentration of Sb Atoms

Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Koroleva, A. V. & Shikin, A. M., мар. 2022, в: JETP Letters. 115, 5, стр. 286-291 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Structural, optical and electronic properties of the wide bandgap topological insulator Bi_1.1Sb_0.9Te₂S

Khatchenko, Y. E., Yakushev, M. V., Seibel, C., Bentmann, H., Orlita, M., Golyashov, V., Ponosov, Y. S., Stepina, N. P., Mudriy, A. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Reinert, F., Martin, R. W. & Kuznetsova, T. V., 15 янв. 2022, в: Journal of Alloys and Compounds. 890, 161824.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Weak antilocalization to weak localization transition in Bi₂Se₃ films on graphene

Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D. & Antonova, I. V., янв. 2022, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 135, 114969.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование