1. 2018
  2. Spin and electronic structure of the topological insulator Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2

    Filianina, M. V., Klimovskikh, I. I., Shvets, I. A., Rybkin, A. G., Petukhov, A. E., Chulkov, E. V., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Polley, C., Balasubramanian, T., Leandersson, M. & Shikin, A. M., 1 мар. 2018, в: Materials Chemistry and Physics. 207, стр. 253-258 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2 Te2 S

    Annese, E., Okuda, T., Schwier, E. F., Iwasawa, H., Shimada, K., Natamane, M., Taniguchi, M., Rusinov, I. P., Eremeev, S. V., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V. & Kimura, A., 10 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 6 стр., 205113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Enhanced surface state protection and band gap in the topological insulator PbBi4 Te4 S3

    Sumida, K., Natsumeda, T., Miyamoto, K., Silkin, I. V., Kuroda, K., Shirai, K., Zhu, S., Taguchi, K., Arita, M., Fujii, J., Varykhalov, A., Rader, O., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V., Okuda, T. & Kimura, A., 1 окт. 2018, в: Physical Review Materials. 2, 10, 8 стр., 104201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2019
  6. Magnetic and Electronic Properties of Gd-Doped Topological Insulator Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3

    Filnov, S. O., Surnin, Y. A., Koroleva, A. V., Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Varykhalov, A. Y., Bokai, K. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Shevchenko, E. V. & Shikin, A. M., 1 сент. 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 129, 3, стр. 404-412 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Structural transformation of the BiSbTeSe2 topological insulator during Co laser MBE deposition

    Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., 11 дек. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1400, 5, 4 стр., 055016.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  9. 2020
  10. Electrochemically exfoliated thin Bi2Se3 films and van der Waals heterostructures Bi2Se3/graphene

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Kokh, K. A., Kustov, D. A., Soots, R. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 янв. 2020, в: Nanotechnology. 31, 12, 7 стр., 125602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator

    Kaveev, A. K., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Schwier, E. F., Suturin, S. M., Tarasov, A. S. & Tereshchenko, O. E., 15 янв. 2020, в: Materials Chemistry and Physics. 240, 5 стр., 122134.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica

    Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Goldyreva, E. S., Stepina, N. P., Kirienko, V. V. & Tereshchenko, O. E., сент. 2020, в: Materials Research Bulletin. 129, 6 стр., 110906.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Matyushenko, E. V., Neizvestny, I. G., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Tereshchenko, O. E. & Epov, V. S., 1 окт. 2020, в: Semiconductors. 54, 10, стр. 1325-1331 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 3434138