11 - 17 из 17Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Electrophysical Properties and Thermal Stability of Pt/InAlAs Schottky Barrier Diodes

    Paramonova, M. A., Genze, I. Y., Aksenov, M. S. & Dmitriev, D. V., 2024, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 210-213 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  2. Effect of Annealing on the Lateral Homogeneity of Ti/InAlAs Schottky Barriers

    Genze, I. Y., Aksenov, M. S. & Dmitriev, D. V., 14 окт. 2024, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 88, 9, стр. 1485-1489 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Effect of Annealing on the Chemical Composition of the Pt/InAlAs Interface

    Genze, I. Y., Aksenov, M. S., Paramonova, M. A., Zakirov, E. R. & Dmitriev, D. V., 2024, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 30-33 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  4. Anodic layer formation on the InAlAs surface in Townsend gas-discharge plasma

    Aksenov, M. S., Gutakovskii, A. K., Prosvirin, I. P., Dmitriev, D. V., Nedomolkina, A. A. & Valisheva, N. A., 1 нояб. 2019, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 102, 5 стр., 104611.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Al2O3/InGaAs interface passivation by fluorine-containing anodic layers

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y., Prosvirin, I. P. & Gutakovskii, A. K., 28 февр. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 8, 085301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. About the nature of the barrier inhomogeneities at Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Chistokhin, I. B., Dmitriev, D. V., Kozhukhov, A. S. & Zhuravlev, K. S., 3 июн. 2019, в: Applied Physics Letters. 114, 22, 5 стр., 221602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 12585282