11 - 17 из 17Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Influence of formation conditions and annealing on the parameters of Pt/InAlAs Schottky barriers

    Genze, I. Y., Aksenov, M. S., Paramonova, M. A., Dmitriev, D. V. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2024, в: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 91, 2, стр. 83-85 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Nonlinear Hall Coefficient in Films of a Three-Dimensional Topological Insulator

    Stepina, N. P., Bazhenov, A. O., Shumilin, A. V., Zhdanov, E. Y., Ishchenko, D. V., Kirienko, V. V., Aksenov, M. S. & Tereshchenko, O. E., авг. 2024, в: JETP Letters. 120, 3, стр. 199-204 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Optical properties of native (anodic) layer on the InAlAs surface of different morphology

    Valisheva, N. A., Kruchinin, V. N., Aksenov, M. S., Azarov, I. A. & Nedomolkina, A. A., 30 июн. 2021, в: Thin Solid Films. 728, 138692.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Study of the Density of Interface States at the Insulator/In0.52Al0.48As Interface

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Nastov’yak, A. E., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y. & Dmitriev, D. V., 1 мая 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 5, стр. 469-472 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. The Effect of Fluorine on the Density of States at the Anodic Oxide Layer/In0.53Ga0.47As Interface

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A. & Kovchavtsev, A. P., июн. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 6, стр. 478-481 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. The Influence of the InAlAs Layer Surface Morphology on the Temperature Dependence of Parameters of Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky Diodes

    Chistokhin, I. B., Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Marchishin, I. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 2, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 12585282