1. About the nature of the barrier inhomogeneities at Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Chistokhin, I. B., Dmitriev, D. V., Kozhukhov, A. S. & Zhuravlev, K. S., 3 июн. 2019, в: Applied Physics Letters. 114, 22, 5 стр., 221602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Al2O3/InGaAs interface passivation by fluorine-containing anodic layers

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y., Prosvirin, I. P. & Gutakovskii, A. K., 28 февр. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 8, 085301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Anodic layer formation on the InAlAs surface in Townsend gas-discharge plasma

    Aksenov, M. S., Gutakovskii, A. K., Prosvirin, I. P., Dmitriev, D. V., Nedomolkina, A. A. & Valisheva, N. A., 1 нояб. 2019, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 102, 5 стр., 104611.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Effect of Annealing on the Chemical Composition of the Pt/InAlAs Interface

    Genze, I. Y., Aksenov, M. S., Paramonova, M. A., Zakirov, E. R. & Dmitriev, D. V., 2024, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 30-33 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  6. Effect of Annealing on the Lateral Homogeneity of Ti/InAlAs Schottky Barriers

    Genze, I. Y., Aksenov, M. S. & Dmitriev, D. V., 14 окт. 2024, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 88, 9, стр. 1485-1489 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Electrophysical Properties and Thermal Stability of Pt/InAlAs Schottky Barrier Diodes

    Paramonova, M. A., Genze, I. Y., Aksenov, M. S. & Dmitriev, D. V., 2024, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 210-213 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  8. High-Power High-Speed Schottky Photodiodes for Analog Fiber-Optic Microwave Signal Transmission Lines

    Chizh, A. L., Mikitchuk, K. B., Zhuravlev, K. S., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Valisheva, N. A., Aksenov, M. S., Gilinsky, A. M. & Chistokhin, I. B., 1 июл. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 7, стр. 739-741 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. High-Power Microwave Photodiodes Based on MBE-Grown InAlAs/InGaAs Heterostructures

    Zhuravlev, K. S., Gilinskii, A. M., Chistokhin, I. B., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Aksenov, M. S., Chizh, A. L. & Mikitchuk, K. B., сент. 2021, в: Technical Physics. 66, 9, стр. 1072-1077 6 стр., 34.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. High-power microwave photodiodes with Schottky contact based on InAlAs/InGaAs/InP heteroepitaxial structures

    Zhuravlev, K. S., Valisheva, N. A., Aksenov, M. S., Dmitriev, D. D., Toropov, A. I., Chistokhin, I. B., Gilinsky, A. M., Protasov, D. Y., Malyshev, S. A., Chizh, A. L. & Mikitchuk, K. B., 1 мая 2019, 2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2 стр. 8803902. (2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 12585282