1. 2022
  2. Al2O3/InGaAs interface passivation by fluorine-containing anodic layers

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y., Prosvirin, I. P. & Gutakovskii, A. K., 28 февр. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 8, 085301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. 2023
  4. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. 2024
  6. Effect of Annealing on the Chemical Composition of the Pt/InAlAs Interface

    Genze, I. Y., Aksenov, M. S., Paramonova, M. A., Zakirov, E. R. & Dmitriev, D. V., 2024, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 30-33 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  7. Electrophysical Properties and Thermal Stability of Pt/InAlAs Schottky Barrier Diodes

    Paramonova, M. A., Genze, I. Y., Aksenov, M. S. & Dmitriev, D. V., 2024, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 210-213 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 12585282