91 - 96 из 96Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Band gap opening in the BiSbTeSe2 topological surface state induced by ferromagnetic surface reordering

    Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Shikin, A. M., Okotrub, A. V., Lavrov, A. N., Schwier, E. F. & Tereshchenko, O. E., дек. 2021, в: Physical Review Materials. 5, 12, 124204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. A Study of the Crystal Structure of Co40Fe40B20 Epitaxial Films on a Bi2Te3 Topological Insulator

    Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Sokolov, N. S., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., 1 мар. 2018, в: Technical Physics Letters. 44, 3, стр. 184-186 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Anomalously large gap and induced out-of-plane spin polarization in magnetically doped 2D Rashba system: V-doped BiTeI

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Klimovskikh, I. I., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K. A., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., 1 июн. 2017, в: 2D Materials. 4, 2, 9 стр., 025055.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect

    Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Aksenov, V. V., 1 мая 2021, в: Journal of Synchrotron Radiation. 28, стр. 864-875 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors

    Zhuravlev, K. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Tereshenko, O. E., Abgaryan, K. K., Reviznikov, D. L., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Parnes, Y. M., Tikhomirov, V. G. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2017, в: Semiconductors. 51, 3, стр. 379-386 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...6 7 8 9 10 Далее

ID: 3439409