Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

In situ tuning of symmetry-breaking-induced nonreciprocity in the giant-Rashba semiconductor BiTeBr

Kocsis, M., Zheliuk, O., Makk, P., Tóvári, E., Kun, P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Taniguchi, T., Watanabe, K., Ye, J. & Csonka, S., сент. 2021, в: Physical Review Research. 3, 3, 033253.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interfacing two-dimensional and magnetic topological insulators: Bi bilayer on MnBi2Te4-family materials

Klimovskikh, I. I., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Filnov, S. O., Shimada, K., Golyashov, V. A., Solovova, N. Y., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Frolov, A. S., Sergeev, A. I., Stolyarov, V. S., Trontl, V. M., Petaccia, L., Di Santo, G., Tallarida, M., Dai, J., Blanco-Canosa, S., Valla, T., Shikin, A. M., еще 1Chulkov, E. V., авг. 2024, в: Materials Today Advances. 23, 9 стр., 100511.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Inverted Dirac-electron population for broadband lasing in a thermally activated p-type topological insulator

Sumida, K., Ishida, Y., Yoshikawa, T., Chen, J., Nurmamat, M., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shin, S. & Kimura, A., 1 февр. 2019, в: Physical Review B. 99, 8, 6 стр., 085302.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Landau Level Broadening in the Three-Dimensional Topological Insulator Sb₂Te₃

Storz, O., Sessi, P., Wilfert, S., Dirker, C., Bathon, T., Kokh, K., Tereshchenko, O. & Bode, M., 1 нояб. 2018, в: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 12, 11, 5 стр., 1800112.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › письмо/краткое сообщение › Рецензирование

Magnetic and Electronic Properties of Gd-Doped Topological Insulator Bi_1.09Gd_0.06Sb_0.85Te₃

Filnov, S. O., Surnin, Y. A., Koroleva, A. V., Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Varykhalov, A. Y., Bokai, K. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Shevchenko, E. V. & Shikin, A. M., 1 сент. 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 129, 3, стр. 404-412 9 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Magnetic-impurity-induced modifications to ultrafast carrier dynamics in the ferromagnetic topological insulators Sb2-xVxTe3

Sumida, K., Kakoki, M., Reimann, J., Nurmamat, M., Goto, S., Takeda, Y., Saitoh, Y., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Guedde, J., Hofer, U. & Kimura, A., 4 сент. 2019, в: New Journal of Physics. 21, 9, стр. 093006 8 стр., 093006.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Mixed Type of the Magnetic Order in Intrinsic Magnetic Topological Insulators Mn(Bi,Sb)2Te4

Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Rybkina, A. A., Golovchanskiy, I. A., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Shchetinin, I. V., Golyashov, V. A. & Shikin, A. M., 1 дек. 2022, в: JETP Letters. 116, 11, стр. 817-824 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Modulation of the Dirac Point Band Gap in the Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi₂Te₄ due to the Surface Potential Gradient Change

Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Zaitsev, N. L., Glazkova, D. A., Klimovskikh, I. I., Fil’nov, S. O., Rybkin, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., янв. 2022, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 134, 1, стр. 103-111 9 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Na2KSb/CsxSb interface engineering for high-efficiency photocathodes

Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Rusetsky, V. S., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Demin, A. Y., Scheibler, H. E., Alperovich, V. L. & Tereshchenko, O. E., 2 авг. 2024, в: Physical Review Applied. 22, 2, 024008.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование