1. 2022
  2. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 115, 5, (292-296), 10.1134/S0021364022100162)

    Nizamov, B. A., Pshirkov, M. S., Maydykovskiy, A. I., Mamonov, E. A., Mitetelo, N. V., Soria, S., Murzina, T. V., Shvetsov, O. O., Barash, Y. S., Timonina, A. V., Kolesnikov, N. N., Deviatov, E. V., Volovik, G. E., Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., еще 8Koroleva, A. V., Shikin, A. M., Sukhanova, E. V., Kvashnin, A. G., Agamalyan, M. A., Zakaryan, H. A., Popov, Z. I. & Lunkin, A. V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 657-659 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхкомментарий, выступлениеРецензирование

  3. Mixed Type of the Magnetic Order in Intrinsic Magnetic Topological Insulators Mn(Bi,Sb)2Te4

    Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Rybkina, A. A., Golovchanskiy, I. A., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Shchetinin, I. V., Golyashov, V. A. & Shikin, A. M., 1 дек. 2022, в: JETP Letters. 116, 11, стр. 817-824 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Ferromagnetic Layers in a Topological Insulator (Bi,Sb)2Te3Crystal Doped with Mn

    Frolov, A. S., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Vilkov, O. Y., Golyashov, V., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K., Muntwiler, M., Amati, M., Gregoratti, L., Sirotina, A. P., Abakumov, A. M., Sánchez-Barriga, J. & Yashina, L. V., 27 дек. 2022, в: ACS Nano. 16, 12, стр. 20831-20841 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. 2023
  6. Topological Phase Transitions Driven by Sn Doping in (Mn1−xSnx)Bi2Te4

    Tarasov, A. V., Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Eryzhenkov, A. V., Klimovskikh, I. I., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., февр. 2023, в: Symmetry. 15, 2, 469.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Импульсный терагерцовый спектрометр с полупроводниковым генератором на эффекте модуляции приповерхностного поля

    Шевченко, О. Н., Николаев, Н. А. & Терещенко, О. Е., 6 февр. 2023, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Патент/Св-во № 2789628, 16 июн. 2022, Дата приоритета 16 июн. 2022, № приоритета 2022116206

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрациипатент на изобретение

  8. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Transport properties of (Bi, Sb)2Te3 topological insulator crystals with lateral p-n junction

    Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., дек. 2023, в: Physical Review Materials. 7, 12, 9 стр., 124204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. 2024
  11. Emergence of quasi-1D spin-polarized states in ultrathin Bi films on InAs(111)A for spintronics applications

    Mihalyuk, A. N., Bondarenko, L. V., Tupchaya, A. Y., Gruznev, D. V., Solovova, N. Y., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Okuda, T., Kimura, A., Eremeev, S. V., Zotov, A. V. & Saranin, A. A., 18 янв. 2024, в: Nanoscale. 16, 3, стр. 1272-1281 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Gismatulin, A. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Gorshkov, D. V. & Gritsenko, V. A., 6 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 4, 042903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. Formation of well-ordered surfaces of Bi2-xSbxTe3-ySey topological insulators using wet chemical treatment

    Tarasov, A. S., Kumar, N., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kokh, K. A., Bazhenov, A. O., Stepina, N. P. & Tereshchenko, O. E., 15 мар. 2024, в: Applied Surface Science. 649, 9 стр., 159122.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3439409