1. статья › научная › Прошло рецензирование
  2. Analytical Expression for the Distribution of Elastic Strain Created by a Polyhedral Inclusion with Arbitrary Eigenstrain

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 9, стр. 1807-1812 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Analytical theory for charge carrier recombination in blend organic solar cells

    Nenashev, A. V., Wiemer, M., Dvurechenskii, A. V., Kulik, L. V., Pevtsov, A. B., Gebhard, F., Koch, M. & Baranovskii, S. D., 28 мар. 2017, в: Physical Review B. 95, 10, 12 стр., 104207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Angle-Selective Photodetection in Ge/Si Quantum Dot Photodiodes Enhanced by Microstructured Hole Arrays

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Utkin, D. E. & Dvurechenskii, A. V., июл. 2023, в: Photonics. 10, 7, 764.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Approximate analytical description of the elastic strain field due to an inclusion in a continuous medium with cubic anisotropy

    Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 14 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 10, 11 стр., 105104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Atomic Structure and Optical Properties of CaSi2 Layers Grown on CaF2/Si Substrates

    Zinovyev, V. A., Kacyuba, A. V., Volodin, V. A., Zinovieva, A. F., Cherkova, S. G., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Krupin, A. Y., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., окт. 2021, в: Semiconductors. 55, 10, стр. 808-811 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Comment on “Interplay of Structural and Optoelectronic Properties in Formamidinium Mixed Tin-Lead Triiodide Perovskites”

    Baranovskii, S. D., Höhbusch, P., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gerhard, M., Hertel, D., Meerholz, K., Koch, M. & Gebhard, F., 25 июл. 2022, в: Advanced Functional Materials. 32, 30, 2201309.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Crystal structure of thin CaSi2 films grown by radiation-induced epitaxy

    Kacyuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Krupin, A. Y., 15 мая 2021, в: Journal of Crystal Growth. 562, 126080.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Stepikhova, M. V., Peretokin, A. V., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., февр. 2022, в: Semiconductors. 56, 2, стр. 101-106 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Effect of Adhesive Layers on Photocurrent Enhancement in Near-Infrared Quantum-Dot Photodetectors Coupled with Metal-Nanodisk Arrays

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Dvurechenskii, A. V. & Utkin, D. E., 1 авг. 2021, в: Semiconductors. 55, 8, стр. 654-659 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Effect of Interstitials Embedded in Pre-Patterned Si Substrate on Location of Ge Nanoislands

    Novikov, P. L., Atovullaev, T., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V. & Pavskii, K. V., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 4 стр., 1700200.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3442376