1. Plasmonic Field Enhancement by Metallic Subwave Lattices on Silicon in the Near-Infrared Range

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2019, в: JETP Letters. 110, 6, стр. 411-416 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Plasmonic Enhancement of the Photoluminescence in Hybrid Structures with SiGe Quantum Dots and Ag Nanoislands

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Katsuba, A. V., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2149-2152 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2019, в: Semiconductors. 53, 2, стр. 195-199 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Photoluminescence of compact GeSi quantum dot groups with increased probability of finding an electron in Ge

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Teys, S. A., Dvurechenskii, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 9 июн. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 9 стр., 9308.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Strain-Patterned Substrates

    Dvurechenskii, A., Zinovieva, A., Zinovyev, V., Nenashev, A., Smagina, Z., Teys, S., Shklyaev, A., Erenburg, S., Trubina, S., Borodavchenko, O., Zhivulko, V. & Mudryi, A., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 6 стр., 1700187.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 12 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 12, 8 стр., 125202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Rodyakina, E. E., Fomin, B. I., Stepikhova, M. V., Yablonskiy, A. N., Gusev, S. A., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 окт. 2019, в: Semiconductors. 53, 10, стр. 1329-1333 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. One-stage formation of two-dimensional photonic crystal and spatially ordered arrays of self-assembled ge(Si) nanoislandson pit-patterned silicon-on-insulator substrate

    Novikov, A. V., Smagina, Z. V., Stepikhova, M. V., Zinovyev, V. A., Rudin, S. A., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Nenashev, A. V., Sergeev, S. M., Peretokin, A. V. & Dvurechenskii, A. V., апр. 2021, в: Nanomaterials. 11, 4, 909.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Nucleation sites of Ge nanoislands grown on pit-patterned Si substrate prepared by electron-beam lithography

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Rudin, S. A., Novikov, P. L., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 28 апр. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 16, 5 стр., 165302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3442376