51 - 60 из 78Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  2. Quantum dot based mid-infrared photodetector enhanced by a hybrid metal-dielectric optical antenna

    Yakimov, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Dvurechenskii, A. & Utkin, D., 8 июн. 2020, в: Journal of Physics D: Applied Physics. 53, 33, 7 стр., 335105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Quantum Gates with Spin States in Continuous Microwave Field

    Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A., Zarodnyuk, T. S., Gornov, A. Y. & Dvurechenskii, A. V., 1 июл. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 4, стр. 268-278 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Radiation-Induced epitaxial CaSi2 film growth at the molecular-beam epitaxy of CaF2 on Si

    Kacyuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Krupin, A. Y., 1 июн. 2020, в: Materials Letters. 268, 4 стр., 127554.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Radiation-Induced Nucleation and Growth of CaSi2 Crystals, Both Directly during the Epitaxial CaF2 Growth and after the CaF2 Film Formation

    Dvurechenskii, A. V., Kacyuba, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Smagina, Z. V., 1 мая 2022, в: Nanomaterials. 12, 9, 1407.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Radiation-Stimulated Formation of Two-Dimensional Structures Based on Calcium Silicide

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Krupin, A. Y., Kacyuba, A. V. & Dvurechenskii, A. V., окт. 2022, в: Nanomaterials. 12, 20, 3623.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Release of carriers from traps enhanced by hopping

    Nenashev, A. V., Valkovskii, V. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Semeniuk, O., Reznik, A., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 30 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Scientific Heritage of S. V. Bogdanov

    Kidyarov, B. I., Kolosovsky, E. A., Tsarev, A. V., Neizvestny, I. G., Aseev, A. L., Latyshev, A. V., Chaplik, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 539-543 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 апр. 2017, в: JETP Letters. 105, 7, стр. 426-429 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Self-assembled epitaxial metal-semiconductor nanostructures with enhanced GeSi quantum dot luminescence

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Katsuba, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 28 июн. 2020, в: Journal of Applied Physics. 127, 24, 7 стр., 243108.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3442376