11 - 13 из 13Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2025

  2. Influence of Ge nanolayers on the resistive switching effect in amorphous hydrogenated silicon based structures

    Чэн, Ю., Камаев, Г. Н., Попов, А. В. & Володин, В. А., мая 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, S1.1, стр. 134-139 6 стр., 23.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  3. Femtosecond Laser Crystallization of Ultrathin a-Ge Films in Multilayer Stacks with Silicon Layers

    Чэн, Н., 16 окт. 2025, в: Applied Sciences. 15, 11082, стр. 1-12 12 стр., 11082.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Многоуровневая мемристорная структура на основе аморфного кремния

    Камаев, Г. Н., Володин, В. А. & Чэн, Н., 12 дек. 2025, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Патент/Св-во № 239675, 5 сент. 2025, Дата приоритета 5 сент. 2025, № приоритета 2025124514

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › патент на полезную модель

Назад 1 2 Далее

ID: 17021903