1. Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 stabilization: DFT simulation

    Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Effect of Mie resonances in coatings consisting of dielectric particles on the light propagation in substrate surface layers

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., сент. 2023, в: Optical Materials. 143, 114171.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Effect of Interstitials Embedded in Pre-Patterned Si Substrate on Location of Ge Nanoislands

    Novikov, P. L., Atovullaev, T., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V. & Pavskii, K. V., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 4 стр., 1700200.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Effect of Adhesive Layers on Photocurrent Enhancement in Near-Infrared Quantum-Dot Photodetectors Coupled with Metal-Nanodisk Arrays

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Dvurechenskii, A. V. & Utkin, D. E., 1 авг. 2021, в: Semiconductors. 55, 8, стр. 654-659 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Edge states in lateral p-n junctions in inverted-band HgTe quantum wells

    Piatrusha, S. U., Khrapai, V. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Tikhonov, E. S., 20 дек. 2017, в: Physical Review B. 96, 24, 10 стр., 245417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Edge States and Capacitance of a 2D Topological Insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 4 стр., 1800675.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Edge state magnetoresistance of a two-dimensional topological insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., мая 2021, в: EPL. 134, 3, 37001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Edge capacitance of a two-dimensional topological insulator

    Entin, M. V. & Braginsky, L., 1 сент. 2017, в: Physical Review B. 96, 11, 4 стр., 115403.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Disentanglement of physical mechanisms for driving and detection in piezoelectric nanoelectromechanical systems

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Ibyatov, T. M., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A. & Naik, A., 2025, в: Applied Physics Letters. 127, 14, 142202 .

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764