Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi_{1 –x}Sb _x)₂Te₄ with Various Concentration of Sb Atoms

Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Koroleva, A. V. & Shikin, A. M., мар. 2022, в: JETP Letters. 115, 5, стр. 286-291 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electronic state back action on mechanical motion in a quantum point contact coupled to a nanomechanical resonator

Шевырин, А. А., Бакаров, А. К., Шкляев, А. А. & Погосов, А. Г., 4 нояб. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 19, 192105.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electronic Spectrum and Optical Properties of Quantum Wires Made from Transition Metal Dichalcogenides

Vitlina, R. Z., Magarill, L. I. & Chaplik, A. V., 1 окт. 2019, в: JETP Letters. 110, 8, стр. 540-544 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electronic correlation determining correlated plasmons in Sb-doped B i2 S e3

Das, P. K., Whitcher, T. J., Yang, M., Chi, X., Feng, Y. P., Lin, W., Chen, J. S., Vobornik, I., Fujii, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Diao, C. Z., Moon, J., Oh, S., Castro-Neto, A. H., Breese, M. B. H., Wee, A. T. S. & Rusydi, A., 4 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 11, 11 стр., 115109.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2 Te2 S

Annese, E., Okuda, T., Schwier, E. F., Iwasawa, H., Shimada, K., Natamane, M., Taniguchi, M., Rusinov, I. P., Eremeev, S. V., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V. & Kimura, A., 10 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 6 стр., 205113.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron emission from GaAs(Cs,O): Transition from negative to positive effective affinity

Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 31 июл. 2019, в: Applied Surface Science. 483, стр. 895-900 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron-Beam Radiation Effects in Multilayer Structures Grown with the Periodical Deposition of Si and CaF2 on Si(111)

Dvurechenskii, A. V., Kacyuba, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A., Stepina, N. P., Zinovieva, A. F. & Zinovyev, V. A., мая 2023, в: Materials Today: Proceedings. 14, 1, 68.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films

Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Gismatulin, A. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Gorshkov, D. V. & Gritsenko, V. A., 6 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 4, 042903.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2019, в: Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование