Exact statistical solution for the hopping transport of trapped charge via finite Markov jump processes

Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 13 мая 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, стр. 10163 10163.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electrostatic actuation and charge sensing in piezoelectric nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 мая 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 18, 183105.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect

Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Aksenov, V. V., 1 мая 2021, в: Journal of Synchrotron Radiation. 28, стр. 864-875 12 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Edge state magnetoresistance of a two-dimensional topological insulator

Braginsky, L. S. & Entin, M. V., мая 2021, в: EPL. 134, 3, 37001.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Growth of Bi₂Se₃/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility

Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Kirienko, V. V., Rybin, M. G., Obrazstova, E. D., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, в: Journal of Materials Science. 56, 15, стр. 9330–9343 14 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Optical Phonon Spectrum of the Ge₂Sb₂Te₅ Single Crystal

Talochkin, A. B., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, в: JETP Letters. 113, 10, стр. 651-656 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Weak antilocalization in partially relaxed 200-nm HgTe films

Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Kvon, Z. D., мая 2021, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 129, 114624.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Influence of the active TaN/ZrO_x/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Profiling spin and orbital texture of a topological insulator in full momentum space

Bentmann, H., Maaß, H., Braun, J., Seibel, C., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Schreyeck, S., Brunner, K., Molenkamp, L. W., Miyamoto, K., Arita, M., Shimada, K., Okuda, T., Kirschner, J., Tusche, C., Ebert, H., Minár, J. & Reinert, F., 15 апр. 2021, в: Physical Review B. 103, 16, L161107.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Increase in the Photocurrent in Layers of Ge/Si Quantum Dots by Modes of a Two-Dimensional Photonic Crystal

Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A., Kirienko, V. V., Dvurechenskii, A. V. & Utkin, D. E., апр. 2021, в: JETP Letters. 113, 8, стр. 498-503 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование