1. Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Stepikhova, M. V., Peretokin, A. V., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., февр. 2022, в: Semiconductors. 56, 2, стр. 101-106 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 265-270 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  4. Dirac cone intensity asymmetry and surface magnetic field in V-doped and pristine topological insulators generated by synchrotron and laser radiation

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Estyunin, D. A., Sostina, D. M., Klimovskikh, I. I., Voroshnin, V. Y., Rybkin, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Petaccia, L., Di Santo, G., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, A. K. & Zvezdin, A. K., 25 апр. 2018, в: Scientific Reports. 8, 1, стр. 6544 9 стр., 6544.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Dirac gap opening and Dirac-fermion-mediated magnetic coupling in antiferromagnetic Gd-doped topological insulators and their manipulation by synchrotron radiation

    Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Surnin, Y. I., Koroleva, A. V., Shevchenko, E. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kumar, S., Schwier, E. F., Shimada, K., Yoshikawa, T., Saitoh, Y., Takeda, Y. & Kimura, A., 18 мар. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 4813 17 стр., 4813.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Edge capacitance of a two-dimensional topological insulator

    Entin, M. V. & Braginsky, L., 1 сент. 2017, в: Physical Review B. 96, 11, 4 стр., 115403.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Edge state magnetoresistance of a two-dimensional topological insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., мая 2021, в: EPL. 134, 3, 37001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Edge States and Capacitance of a 2D Topological Insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 4 стр., 1800675.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Edge states in lateral p-n junctions in inverted-band HgTe quantum wells

    Piatrusha, S. U., Khrapai, V. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Tikhonov, E. S., 20 дек. 2017, в: Physical Review B. 96, 24, 10 стр., 245417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764