1. Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

    Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Demonstration of high sensitivity of microwave-induced resistance oscillations to circular polarization

    Savchenko, M. L., Shuvaev, A., Dmitriev, I. A., Ganichev, S. D., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 15 окт. 2022, в: Physical Review B. 106, 16, L161408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Stepikhova, M. V., Peretokin, A. V., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., февр. 2022, в: Semiconductors. 56, 2, стр. 101-106 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 265-270 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  6. Dirac cone intensity asymmetry and surface magnetic field in V-doped and pristine topological insulators generated by synchrotron and laser radiation

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Estyunin, D. A., Sostina, D. M., Klimovskikh, I. I., Voroshnin, V. Y., Rybkin, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Petaccia, L., Di Santo, G., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, A. K. & Zvezdin, A. K., 25 апр. 2018, в: Scientific Reports. 8, 1, стр. 6544 9 стр., 6544.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Dirac gap opening and Dirac-fermion-mediated magnetic coupling in antiferromagnetic Gd-doped topological insulators and their manipulation by synchrotron radiation

    Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Surnin, Y. I., Koroleva, A. V., Shevchenko, E. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kumar, S., Schwier, E. F., Shimada, K., Yoshikawa, T., Saitoh, Y., Takeda, Y. & Kimura, A., 18 мар. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 4813 17 стр., 4813.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Direct Spin-Imaging Detector Based on Freestanding Magnetic Nanomembranes

    Tereshchenko, O. E., Bakin, V. V., Stepanov, S. A., Golyashov, V. A., Mikaeva, A. S., Kustov, D. A., Rusetsky, V. S., Rozhkov, S. A., Scheibler, H. E. & Demin, A. Y., 18 апр. 2025, в: Physical Review Letters. 134, 15, 157002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Disentanglement of physical mechanisms for driving and detection in piezoelectric nanoelectromechanical systems

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Ibyatov, T. M., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A. & Naik, A., 2025, в: Applied Physics Letters. 127, 14, 142202 .

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3084764