Langmuir evaporation of GaAs(1 1 1)A and GaAs(1 1 1)B: Monte Carlo simulation

Spirina, A. A., Alperovich, V. L. & Shwartz, N. L., 28 февр. 2021, в: Applied Surface Science. 540, 6 стр., 148281.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part II—Films

Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Aliev, V. S., Nadolinny, V. A. & Chin, A., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100980.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part I—Crystals

Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Yelisseyev, A. P., Pustovarov, V. A., Korolkov, I. V. & Lomonova, E. E., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100979.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Photon-Stimulated Transport in a Quantum Point Contact (Brief Review)

Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Tkachenko, O. A., Yaroshevich, A. S., Rodyakina, E. E., Baksheev, D. G. & Latyshev, A. V., мар. 2021, в: JETP Letters. 113, 5, стр. 331-344 14 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › обзорная статья › Рецензирование

Increase in the Photocurrent in Layers of Ge/Si Quantum Dots by Modes of a Two-Dimensional Photonic Crystal

Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A., Kirienko, V. V., Dvurechenskii, A. V. & Utkin, D. E., апр. 2021, в: JETP Letters. 113, 8, стр. 498-503 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

One-stage formation of two-dimensional photonic crystal and spatially ordered arrays of self-assembled ge(Si) nanoislandson pit-patterned silicon-on-insulator substrate

Novikov, A. V., Smagina, Z. V., Stepikhova, M. V., Zinovyev, V. A., Rudin, S. A., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Nenashev, A. V., Sergeev, S. M., Peretokin, A. V. & Dvurechenskii, A. V., апр. 2021, в: Nanomaterials. 11, 4, 909.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Two-Dimensional Semimetal HgTe in 14-nm-Thick Quantum Wells

Vasil’ev, N. N., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N. & Ganichev, S. D., апр. 2021, в: JETP Letters. 113, 7, стр. 466-470 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Profiling spin and orbital texture of a topological insulator in full momentum space

Bentmann, H., Maaß, H., Braun, J., Seibel, C., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Schreyeck, S., Brunner, K., Molenkamp, L. W., Miyamoto, K., Arita, M., Shimada, K., Okuda, T., Kirschner, J., Tusche, C., Ebert, H., Minár, J. & Reinert, F., 15 апр. 2021, в: Physical Review B. 103, 16, L161107.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Influence of the active TaN/ZrO_x/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Edge state magnetoresistance of a two-dimensional topological insulator

Braginsky, L. S. & Entin, M. V., мая 2021, в: EPL. 134, 3, 37001.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование