181 - 190 из 209Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films

    Tyschenko, I. E., Cherkov, A. G., Volodin, V. A. & Voelskow, M., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1240-1246 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Islamov, D. R., Chernikova, A. G., Kozodaev, M. G., Markeev, A. M., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A. & Orlov, O. M., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  4. Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Orlov, O. M. & Krasnikov, G. Y., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  5. Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: First principle investigation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  6. Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in a-Si:H/SiO2 multilayer heterostructures

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Kamaev, G. N. & Skuratov, V. A., 1 авг. 2017, в: Materials Research Express. 4, 8, 7 стр., 085001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Ge nanocrystals formed by furnace annealing of Ge(x)[SiO2](1-x) films: Structure and optical properties

    Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 июл. 2017, в: Materials Research Express. 4, 7, 9 стр., 075010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Synthesis of basic bismuth(III) oxalate by precipitation from nitrate solutions

    Timakova, E. V., Afonina, L. I., Bulina, N. V., Shatskaya, S. S., Yukhin, Y. M. & Volodin, V. A., 1 июл. 2017, в: Russian Journal of Applied Chemistry. 90, 7, стр. 1040-1046 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...15 16 17 18 19 20 21 Далее

ID: 3087404