1. 2017
  2. Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: First principle investigation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  3. Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in a-Si:H/SiO2 multilayer heterostructures

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Kamaev, G. N. & Skuratov, V. A., 1 авг. 2017, в: Materials Research Express. 4, 8, 7 стр., 085001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Ge nanocrystals formed by furnace annealing of Ge(x)[SiO2](1-x) films: Structure and optical properties

    Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 июл. 2017, в: Materials Research Express. 4, 7, 9 стр., 075010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Synthesis of basic bismuth(III) oxalate by precipitation from nitrate solutions

    Timakova, E. V., Afonina, L. I., Bulina, N. V., Shatskaya, S. S., Yukhin, Y. M. & Volodin, V. A., 1 июл. 2017, в: Russian Journal of Applied Chemistry. 90, 7, стр. 1040-1046 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5 μm

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotcenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V., Iinuma, M. & Terai, Y., 21 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 11, 9 стр., 113101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Charge transport in thin hafnium and zirconium oxide films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 184-189 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Detection of suspicious objects on the basis of analysis of human X-ray images

    Svitov, D. V., Kulikov, V. A. & Kosykh, V. P., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 159-164 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3087404