1. Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 февр. 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 5, 5 стр., 053104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing

    Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Sheglov, D. V., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2017, в: Applied Surface Science. 406, стр. 307-311 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Localization of helical edge states in the absence of external magnetic field

    Bubis, A. V., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Nasibulin, A. G. & Tikhonov, E. S., 15 нояб. 2021, в: Physical Review B. 104, 19, 195405.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Localization of Excitons on Planar Defects in Semiconductor Crystals

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 авг. 2020, в: JETP Letters. 112, 4, стр. 230-233 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Linearity of the edge states energy spectrum in the 2D topological insulator

    Entin, M. V., Mahmoodian, M. M. & Magarill, L. I., 1 июн. 2017, в: Europhysics Letters. 118, 5, 5 стр., 57002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Lateral-electric-field-induced spin polarization in a suspended GaAs quantum point contact

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 19 февр. 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 8, 4 стр., 082102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Large anisotropic spin relaxation time of exciton bound to donor states in triple quantum wells

    Ullah, S., Gusev, G. M., Bakarov, A. K. & Hernandez, F. G. G., 28 мая 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 20, 6 стр., 205703.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Langmuir evaporation of GaAs(1 1 1)A and GaAs(1 1 1)B: Monte Carlo simulation

    Spirina, A. A., Alperovich, V. L. & Shwartz, N. L., 28 февр. 2021, в: Applied Surface Science. 540, 6 стр., 148281.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Landau level spectroscopy of valence bands in HgTe quantum wells: Effects of symmetry lowering

    Bovkun, L. S., Ikonnikov, A. V., Aleshkin, V. Y., Spirin, K. E., Gavrilenko, V. I., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Teppe, F., Piot, B. A., Potemski, M. & Orlita, M., 10 апр. 2019, в: Journal of Physics Condensed Matter. 31, 14, стр. 145501 13 стр., 145501.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Kinetics of anticrossing between slip traces and vicinal steps on crystal surfaces

    Coupeau, C., Kazantsev, D. M., Drouet, M. & Alperovich, V. L., 15 авг. 2019, в: Acta Materialia. 175, стр. 206-213 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3083697