1 - 10 из 238Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2016

  2. Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching

    Chernov, A. A., Islamov, D. R., Pik'nik, A. A., Perevalov, T. V. & Gritsenko, V. A., 1 янв. 2016, NONVOLATILE MEMORIES 5. Karim, Z., Kobayashi, K., Shima, H., Bersuker, G., Shingubara, S., Saito, Y., Park, J. G., Magyari-Kope, B., Kubota, H. & Goux, L. (ред.). 32 ред. Electrochemical society, стр. 95-104 10 стр. (ECS Transactions; том 75, № 32).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  3. Terahertz resistive response of a two-dimensional topological insulator in a quasiballistic transport regime

    Kvon, Z. D., Dantscher, K. -M., Scherr, M. -T., Yaroshevich, A. S. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2016, в: JETP Letters. 104, 10, стр. 716-720 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2017

  5. A method for fabricating the ordered arrays of silicon nanopillars

    Basalaeva, L. S., Nastaushev, Y. V. & Dultsev, F. N., 1 янв. 2017, в: Materials Today: Proceedings. 4, 11, стр. 11341-11345 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Pokhabov, D. A. & Bakarov, A. K., 1 янв. 2017, в: Semiconductors. 51, 1, стр. 8-13 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions

    Alperovich, V. L., Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Rudaya, N. S., Rodyakina, E. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Karpov, A. N., Shwartz, N. L., Terekhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 255-277 23 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  8. Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 131-155 25 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  9. Oxygen polyvacancies as conductive filament in zirconia: First principle simulation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 357-362 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  10. Reconstruction phase transition c(4×4) – (1×3) on the (001)InSb surface

    Bakarov, A., Galitsyn, Y., Mansurov, V. & Zhuravlev, K., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 207-210 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 493-504 12 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  12. Two-Dimensional Semimetal in HgTe-Based Quantum Wells

    Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 29-48 20 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...24 Далее

ID: 3083697