1. 2018
  2. Nucleation sites of Ge nanoislands grown on pit-patterned Si substrate prepared by electron-beam lithography

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Rudin, S. A., Novikov, P. L., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 28 апр. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 16, 5 стр., 165302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Local Anodic Oxidation of Thin GeO Films and Formation of Nanostructures Based on Them

    Astankova, K. N., Kozhukhov, A. S., Azarov, I. A., Gorokhov, E. B., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 4, стр. 700-704 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

    Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Charge Berezinskii-Kosterlitz-Thouless transition in superconducting NbTiN films

    Mironov, A. Y., Silevitch, D. M., Proslier, T., Postolova, S. V., Burdastyh, M. V., Gutakovskii, A. K., Rosenbaum, T. F., Vinokur, V. V. & Baturina, T. I., 6 мар. 2018, в: Scientific Reports. 8, 1, стр. 4082 11 стр., 4082.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Giant gap-plasmon tip-enhanced Raman scattering of MoS2 monolayers on Au nanocluster arrays

    Milekhin, A. G., Rahaman, M., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 14 февр. 2018, в: Nanoscale. 10, 6, стр. 2755-2763 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Barrier characteristics and interface properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Chistokhin, I. B., Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Kovchavtsev, A. P., Gutakovskii, A. K., Prosvirin, I. P. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2018, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 74, стр. 193-198 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. The initial stages of atomic force microscope based local anodic oxidation of silicon

    Kozhukhov, A. S., Scheglov, D. V., Fedina, L. I. & Latyshev, A. V., 1 февр. 2018, в: AIP Advances. 8, 2, 6 стр., 025113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Scaling universality at the dynamic vortex Mott transition

    Lankhorst, M., Poccia, N., Stehno, M. P., Galda, A., Barman, H., Coneri, F., Hilgenkamp, H., Brinkman, A., Golubov, A. A., Tripathi, V., Baturina, T. I. & Vinokur, V. M., 17 янв. 2018, в: Physical Review B. 97, 2, 6 стр., 020504.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Step Patterns on {100} Faces of Diamond Crystals As-Grown in Mg-Based Systems

    Khokhryakov, A. F., Palyanov, Y. N., Borzdov, Y. M., Kozhukhov, A. S. & Shcheglov, D. V., 3 янв. 2018, в: Crystal Growth and Design. 18, 1, стр. 152-158 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3081475