1. fMRI Responses in Healthy Individuals and in Patients with Mild Depression to Presentation of Pleasant and Unpleasant Images

    Mel’nikov, M. E., Petrovskii, E. D., Bezmaternykh, D. D., Kozlova, L. I., Shtark, M. B., Savelov, A. A., Shubina, O. S. & Natarova, K. A., мар. 2018, в: Bulletin of Experimental Biology and Medicine. 164, 5, стр. 601-604 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Formation and decay of a triplet state of dipyrido[3,2-a:2′,3′-c]phenazine

    Glebov, E. M., Bakulina, O. D., Shushakov, A. A., Matveeva, S. G., Pozdnyakov, I. P., Grivin, V. P., Plyusnin, V. F., Vasilchenko, D. B., Melnikov, A. A. & Chekalin, S. V., 1 мая 2020, в: Mendeleev Communications. 30, 3, стр. 322-324 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Formation and evaporation of an electrically charged black hole in conformal gravity

    Bambi, C., Modesto, L., Porey, S. & Rachwał, L., 8 февр. 2018, в: European Physical Journal C. 78, 2, 8 стр., 116.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Formation of a Graphene-Like SiN Layer on the Surface Si(111)

    Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G., Malin, T. V., Teys, S. A., Fedosenko, E. V., Kozhukhov, A. S., Zhuravlev, K. S., Cora, I. & Pécz, B., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 12, стр. 1511-1517 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Formation of cylindrical plasma equilibria with β > 1

    Timofeev, I. V., Kurshakov, V. A. & Berendeev, E. A., 1 авг. 2024, в: Physics of Plasmas. 31, 8, 11 стр., 082512.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Formation of Germanium Nanocrystals and Amorphous Nanoclusters in GeO[SiO] and GeO[SiO2] Films Using Electron Beam Annealing

    Konstantinov, V. O., Baranov, E. A., Fan, Z., Shchukin, V. G., Zamchiy, A. O. & Volodin, V. A., 18 сент. 2024, в: Technical Physics. 69, 4, стр. 898-905 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Formation of germanium nanocrystals and amorphous nanoclusters in GeSiOx films using electron beam annealing

    Zhang, F., Volodin, V. A., Baranov, E. A., Konstantinov, V. O., Shchukin, V. G., Zamchiy, A. O. & Vergnat, M., мар. 2022, в: Vacuum. 197, 110796.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Formation of graphene on the surface of copper under the conditions of chemical deposition from the gas phase

    Kostogrud, I. A., Boyko, E. V. & Smovzh, D. V., 28 нояб. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1105, 1, 5 стр., 012139.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  10. Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1233-1239 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3088911