1. 2017
  2. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 493-504 12 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  3. 2016
  4. Localized surface plasmons in structures with linear Au nanoantennas on a SiO2/Si surface

    Milekhin, I. A., Kuznetsov, S. A., Rodyakina, E. E., Milekhin, A. G., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 2016, в: Beilstein Journal of Nanotechnology. 7, 1, стр. 1519-1526 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. 2015
  6. 2011
  7. Технология получения высокоупорядоченной ступенчатой поверхности Si (111) -7x7

    Романюк, К. Н. & Шкляев, А. А., 25 нояб. 2011, Редакционно-издательский центр НГУ, Патент/Св-во № 6, Дата приоритета 22 нояб. 2011

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрациисвидетельство о регистрации ноу-хау

Назад 1...16 17 18 19 20 Далее

ID: 19061863