51 - 60 из 188Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Cu2ZnSnS4crystal growth using an SnCl2based flux

    Kokh, K. A., Atuchin, V. V., Adichtchev, S. V., Gavrilova, T. A., Bakhadur, A. M., Klimov, A. O., Korolkov, I. V., Kuratieva, N. V., Mukherjee, S., Pervukhina, N. V. & Surovtsev, N. V., 28 янв. 2021, в: CrystEngComm. 23, 4, стр. 1025-1032 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio

    Utkin, D. E., Anikin, K. V., Veber, S. L. & Shklyaev, A. A., нояб. 2020, в: Optical Materials. 109, 5 стр., 110466.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Diffusion in GaN/AlN superlattices: DFT and EXAFS study

    Aleksandrov, I. A., Malin, T. V., Zhuravlev, K. S., Trubina, S. V., Erenburg, S. B., Pecz, B. & Lebiadok, Y. V., 15 июн. 2020, в: Applied Surface Science. 515, 7 стр., 146001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Donor-acceptor nature of orange photoluminescence in AlN

    Aleksandrov, I. A., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Ber, B. Y., Kazantsev, D. Y. & Zhuravlev, K. S., окт. 2020, в: Semiconductor Science and Technology. 35, 12, 9 стр., 125006.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x > 0.5

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 1 июн. 2019, в: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SC, 7 стр., 27.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Double Complex Salts [Ln(C 6 H 5 NO 2 ) 3 (H 2 O) 2 ][Cr(NCS) 6 ] · 2H 2 O (Ln = Lu, Ce, Y): Synthesis and Crystal Structure

    Cherkasova, E. V., Pervukhina, N. V., Kuratieva, N. V. & Cherkasova, T. G., 1 мар. 2019, в: Russian Journal of Inorganic Chemistry. 64, 3, стр. 329-334 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Drift velocity in GaN semiconductors: Monte Carlo simulation and comparison with experimental measurements

    Kablukova, E., Sabelfeld, K., Protasov, D. Y. & Zhuravlev, K. S., 1 дек. 2020, в: Monte Carlo Methods and Applications. 26, 4, стр. 263-271 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior

    Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв. 2020, в: Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Electrochemically exfoliated thin Bi2Se3 films and van der Waals heterostructures Bi2Se3/graphene

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Kokh, K. A., Kustov, D. A., Soots, R. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 янв. 2020, в: Nanotechnology. 31, 12, 7 стр., 125602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 9 ...19 Далее

ID: 19061863