101 - 110 из 194Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. Critical properties and charge transport in ethylene bridged organosilica low-κ dielectrics

    Perevalov, T., Gismatulin, A. A., Seregin, D. S., Wang, Y., Xu, H., Kruchinin, V. N., Spesivcev, E., Gritsenko, V. A., Nasyrov, K. A., Prosvirin, I. P., Zhang, J., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., 21 мая 2020, в: Journal of Applied Physics. 127, 19, 12 стр., 195105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Evolution of the surface states during the in situ SiN layer formation on AlN/GaN heterostructures

    Zhuravlev, K., Mansurov, V., Galitsyn, Y., Malin, T., Milakhin, D. & Zemlyakov, V., 28 мая 2020, в: Semiconductor Science and Technology. 35, 7, 6 стр., 075004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Crystallographic Analysis of Boro- and Alumosilicates with the Structures Similar to the Structures of Analcime and Pollucite

    Borisov, S. V., Pervukhina, N. V. & Magarill, S. A., 1 июн. 2020, в: Journal of Structural Chemistry. 61, 6, стр. 887-893 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Flying apparatus DC–DC starter-generator converter based on switching capacitor structures

    Zotov, L. G., Razinkin, V. P., Zharkov, M. A. & Atuchin, V. V., 1 июн. 2020, в: Electrical Engineering. 102, 2, стр. 643-650 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Diffusion in GaN/AlN superlattices: DFT and EXAFS study

    Aleksandrov, I. A., Malin, T. V., Zhuravlev, K. S., Trubina, S. V., Erenburg, S. B., Pecz, B. & Lebiadok, Y. V., 15 июн. 2020, в: Applied Surface Science. 515, 7 стр., 146001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Optical gain and stimulated emission in optically pumped heavily doped Al0.74Ga0.26N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., июл. 2020, в: Optical Materials. 105, 5 стр., 109879.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Overview of Integrated Optical Sensors Based on Silicon: Forecasts and Results of the Decade

    Tsarev, A. V., июл. 2020, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 56, 4, стр. 412-430 19 стр., 13.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Crystallographic analysis of phase transformations in danburite CaSi2B2O8

    Borisov, S. V., Magarill, S. A. & Pervukhina, N. V., 1 июл. 2020, в: Journal of Structural Chemistry. 61, 7, стр. 1059-1067 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. On Two Highly Symmetric Stencils for Crystal Structures of Inorganic Compounds

    Borisov, S. V., Pervukhina, N. V. & Magarill, S. A., 1 июл. 2020, в: Crystallography Reports. 65, 4, стр. 534-538 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Optimal stage determination of sapphire nitridation process completion under high-energy electron beam influence

    Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G. & Zhuravlev, K. S., 1 июл. 2020, 2020 21st International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2020. IEEE Computer Society, стр. 14-18 5 стр. 9153543. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2020-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Назад 1...7 8 9 10 11 12 13 14 ...20 Далее

ID: 19061863