Standard

Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. / Журавлев, Константин Сергеевич; Царев, Андрей Владимирович; Гуляев, Д.В. et al.

In: Квантовая электроника, Vol. 55, No. 1, 2025, p. 30-35.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Журавлев, КС, Царев, АВ, Гуляев, ДВ, Колосовский, ЕА, Арыков, ВС, Юнусов, ИВ, Ишуткин, СВ & Шейнбергер, АА 2025, 'Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия', Квантовая электроника, vol. 55, no. 1, pp. 30-35.

APA

Журавлев, К. С., Царев, А. В., Гуляев, Д. В., Колосовский, Е. А., Арыков, В. С., Юнусов, И. В., Ишуткин, С. В., & Шейнбергер, А. А. (2025). Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. Квантовая электроника, 55(1), 30-35.

Vancouver

Журавлев КС, Царев АВ, Гуляев ДВ, Колосовский ЕА, Арыков ВС, Юнусов ИВ et al. Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. Квантовая электроника. 2025;55(1):30-35.

Author

Журавлев, Константин Сергеевич ; Царев, Андрей Владимирович ; Гуляев, Д.В. et al. / Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. In: Квантовая электроника. 2025 ; Vol. 55, No. 1. pp. 30-35.

BibTeX

@article{0f05bece1efb4c74a94aba2b26ce04b9,
title = "Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия",
abstract = "Экспериментально и теоретически исследовались механизмы оптических потерь в волноводной квантово-размерной структуре для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. Показано, что наличие верхнего слоя из InGaAs с высоким показателем преломления и высокими оптическими потерями может приводить к аномально высокому затуханию фундаментальной ТЕ0-моды; оно наблюдается в окрестности вырождения дисперсионных кривых двух первых мод ТЕ поляризации, которое проявляется при толщинах верхнего слоя InGaAs порядка 0.31 мкм. Данные численного моделирования находятся в хорошем соответствии с результатами экспериментального измерения оптических потерь в таких структурах.",
keywords = "ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР, ФОСФИД ИНДИЯ, ЭФФЕКТ ШТАРКА, МНОЖЕСТВЕННАЯ КВАНТОВАЯ ЯМА, ОПТИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ",
author = "Журавлев, {Константин Сергеевич} and Царев, {Андрей Владимирович} and Д.В. Гуляев and Е.А. Колосовский and Арыков, {В. С.} and Юнусов, {И. В.} and Ишуткин, {С. В.} and Шейнбергер, {А. А.}",
note = "Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия / К. С. Журавлев, А. В. Царев, Д. В. Гуляев [и др.] // Квантовая электроника. – 2025. – Т. 55, № 1. – С. 30-35. – EDN KJXQYY. Исследования выполнены в ИФП СО РАН и ТУСУР при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках проектов FWGW-2025-0024 и FEWM-2024-0004 соответственно.",
year = "2025",
language = "русский",
volume = "55",
pages = "30--35",
journal = "Kvantovaya Elektronika",
issn = "0368-7147",
publisher = "Russian Federationn Academy of Sciences",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия

AU - Журавлев, Константин Сергеевич

AU - Царев, Андрей Владимирович

AU - Гуляев, Д.В.

AU - Колосовский, Е.А.

AU - Арыков, В. С.

AU - Юнусов, И. В.

AU - Ишуткин, С. В.

AU - Шейнбергер, А. А.

N1 - Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия / К. С. Журавлев, А. В. Царев, Д. В. Гуляев [и др.] // Квантовая электроника. – 2025. – Т. 55, № 1. – С. 30-35. – EDN KJXQYY. Исследования выполнены в ИФП СО РАН и ТУСУР при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках проектов FWGW-2025-0024 и FEWM-2024-0004 соответственно.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Экспериментально и теоретически исследовались механизмы оптических потерь в волноводной квантово-размерной структуре для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. Показано, что наличие верхнего слоя из InGaAs с высоким показателем преломления и высокими оптическими потерями может приводить к аномально высокому затуханию фундаментальной ТЕ0-моды; оно наблюдается в окрестности вырождения дисперсионных кривых двух первых мод ТЕ поляризации, которое проявляется при толщинах верхнего слоя InGaAs порядка 0.31 мкм. Данные численного моделирования находятся в хорошем соответствии с результатами экспериментального измерения оптических потерь в таких структурах.

AB - Экспериментально и теоретически исследовались механизмы оптических потерь в волноводной квантово-размерной структуре для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. Показано, что наличие верхнего слоя из InGaAs с высоким показателем преломления и высокими оптическими потерями может приводить к аномально высокому затуханию фундаментальной ТЕ0-моды; оно наблюдается в окрестности вырождения дисперсионных кривых двух первых мод ТЕ поляризации, которое проявляется при толщинах верхнего слоя InGaAs порядка 0.31 мкм. Данные численного моделирования находятся в хорошем соответствии с результатами экспериментального измерения оптических потерь в таких структурах.

KW - ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР

KW - ФОСФИД ИНДИЯ

KW - ЭФФЕКТ ШТАРКА

KW - МНОЖЕСТВЕННАЯ КВАНТОВАЯ ЯМА

KW - ОПТИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=82946460

M3 - статья

VL - 55

SP - 30

EP - 35

JO - Kvantovaya Elektronika

JF - Kvantovaya Elektronika

SN - 0368-7147

IS - 1

ER -

ID: 74588103