Standard

Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне плёнок SIO2 имплантированных ионами IN+ и AS+. / ТЫСЧЕНКО, И.Е.; СЫ, Ч.; ЧЕРКОВА, С.Г. et al.

In: Автометрия, Vol. 60, No. 1, 2024, p. 59-65.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

ТЫСЧЕНКО, ИЕ, СЫ, Ч, ЧЕРКОВА, СГ & ПОПОВ, ВП 2024, 'Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне плёнок SIO2 имплантированных ионами IN+ и AS+', Автометрия, vol. 60, no. 1, pp. 59-65. https://doi.org/10.15372/aut20240106

APA

ТЫСЧЕНКО, И. Е., СЫ, Ч., ЧЕРКОВА, С. Г., & ПОПОВ, В. П. (2024). Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне плёнок SIO2 имплантированных ионами IN+ и AS+. Автометрия, 60(1), 59-65. https://doi.org/10.15372/aut20240106

Vancouver

ТЫСЧЕНКО ИЕ, СЫ Ч, ЧЕРКОВА СГ, ПОПОВ ВП. Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне плёнок SIO2 имплантированных ионами IN+ и AS+. Автометрия. 2024;60(1):59-65. doi: 10.15372/aut20240106

Author

ТЫСЧЕНКО, И.Е. ; СЫ, Ч. ; ЧЕРКОВА, С.Г. et al. / Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне плёнок SIO2 имплантированных ионами IN+ и AS+. In: Автометрия. 2024 ; Vol. 60, No. 1. pp. 59-65.

BibTeX

@article{910390a57486417e8c6ca958688f32f2,
title = "Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне плёнок SIO2 имплантированных ионами IN+ и AS+",
abstract = "Исследована фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне при комнатной температуре плёнок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+ в зависимости от энергии ионов As+, температуры последующего отжига и длины волны возбуждающего излучения. Использовались ионы As+ с энергиями 40, 80 или 135 кэВ и ионы In+ с энергией 50 кэВ, при которых соотношение средних проективных пробегов ионов RpAs/RpIn составляло 1, 2 или 3 соответственно. Последующий отжиг проводился при температуре 900 и 1100 °C. Спектры фотолюминесценции возбуждались излучением лазера с длинами волн λ ex = 442 и 473 нм. В спектрах фотолюминесценции при возбуждении с λ ex = 473 нм наблюдался пик 550 нм, энергетическое положение которого смещалось к 520-530 нм при λ ex = 442 нм. Увеличение соотношения RpAs/RpIn сопровождалось уменьшением интенсивности фотолюминесценции, а также изменением соотношения интенсивности пиков в зависимости от температуры отжига. Наблюдаемый эффект обсуждается с точки зрения рекомбинации электронов и дырок в нанокристаллах InAs.",
keywords = "Ионная имплантация, SIO2, INAS, Нанокристаллы, фотолюминесценция",
author = "И.Е. ТЫСЧЕНКО and Ч. СЫ and С.Г. ЧЕРКОВА and В.П. ПОПОВ",
note = "Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне плёнок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+ / И. Е. Тысченко, Ч. Сы, С. Г. Черкова, В. П. Попов // Автометрия. – 2024. – Т. 60, № 1. – С. 59-65. – DOI 10.15372/AUT20240106. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (проект FWGW-2021-0003). ",
year = "2024",
doi = "10.15372/aut20240106",
language = "русский",
volume = "60",
pages = "59--65",
journal = "Автометрия",
issn = "0320-7102",
publisher = "ФГУП {"}Издательство СО РАН{"}",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне плёнок SIO2 имплантированных ионами IN+ и AS+

AU - ТЫСЧЕНКО, И.Е.

AU - СЫ, Ч.

AU - ЧЕРКОВА, С.Г.

AU - ПОПОВ, В.П.

N1 - Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне плёнок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+ / И. Е. Тысченко, Ч. Сы, С. Г. Черкова, В. П. Попов // Автометрия. – 2024. – Т. 60, № 1. – С. 59-65. – DOI 10.15372/AUT20240106. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (проект FWGW-2021-0003).

PY - 2024

Y1 - 2024

N2 - Исследована фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне при комнатной температуре плёнок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+ в зависимости от энергии ионов As+, температуры последующего отжига и длины волны возбуждающего излучения. Использовались ионы As+ с энергиями 40, 80 или 135 кэВ и ионы In+ с энергией 50 кэВ, при которых соотношение средних проективных пробегов ионов RpAs/RpIn составляло 1, 2 или 3 соответственно. Последующий отжиг проводился при температуре 900 и 1100 °C. Спектры фотолюминесценции возбуждались излучением лазера с длинами волн λ ex = 442 и 473 нм. В спектрах фотолюминесценции при возбуждении с λ ex = 473 нм наблюдался пик 550 нм, энергетическое положение которого смещалось к 520-530 нм при λ ex = 442 нм. Увеличение соотношения RpAs/RpIn сопровождалось уменьшением интенсивности фотолюминесценции, а также изменением соотношения интенсивности пиков в зависимости от температуры отжига. Наблюдаемый эффект обсуждается с точки зрения рекомбинации электронов и дырок в нанокристаллах InAs.

AB - Исследована фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне при комнатной температуре плёнок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+ в зависимости от энергии ионов As+, температуры последующего отжига и длины волны возбуждающего излучения. Использовались ионы As+ с энергиями 40, 80 или 135 кэВ и ионы In+ с энергией 50 кэВ, при которых соотношение средних проективных пробегов ионов RpAs/RpIn составляло 1, 2 или 3 соответственно. Последующий отжиг проводился при температуре 900 и 1100 °C. Спектры фотолюминесценции возбуждались излучением лазера с длинами волн λ ex = 442 и 473 нм. В спектрах фотолюминесценции при возбуждении с λ ex = 473 нм наблюдался пик 550 нм, энергетическое положение которого смещалось к 520-530 нм при λ ex = 442 нм. Увеличение соотношения RpAs/RpIn сопровождалось уменьшением интенсивности фотолюминесценции, а также изменением соотношения интенсивности пиков в зависимости от температуры отжига. Наблюдаемый эффект обсуждается с точки зрения рекомбинации электронов и дырок в нанокристаллах InAs.

KW - Ионная имплантация

KW - SIO2

KW - INAS

KW - Нанокристаллы

KW - фотолюминесценция

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/c16b46c4-7dda-34a3-b743-1ad0186e5e4e/

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=62736737

U2 - 10.15372/aut20240106

DO - 10.15372/aut20240106

M3 - статья

VL - 60

SP - 59

EP - 65

JO - Автометрия

JF - Автометрия

SN - 0320-7102

IS - 1

ER -

ID: 71985988